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磁性二维材料的制备和磁结构的洛伦兹电镜原位研究

磁性斯格明子，作为新兴的拓扑保护自旋磁结构，以其极小的磁畴尺寸、稳定性及可调性，在自旋电子存储领域展现出巨大潜力。随着研究的深入，铁磁合金、多层膜及二维磁性材料等成为调控磁斯格明子的新途径。这些材料的磁性能主要由其成分和微观结构决定，因此深入理解结构与磁性的关系至关重要。为实现磁斯格明子在赛道存储等新型存储设计中的应用，需探究其成核与湮灭机制，并提升斯格明子密度。我们主要聚焦于Fe3-xGeTe2和Fe3-xGaTe2这两种磁性二维晶体，通过原位透射电镜和球差校正技术，成功揭示了其成分与磁结构，并发现Fe3-xGaTe2能在室温下形成磁斯格明子。同时，解决了密度低和共存问题，并通过晶体衍射和第一性原理计算解释了DM相互作用来源，为磁斯格明子的应用提供了新方向。

32 2024-07-02

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