介孔材料中形貌、结构检测方案(扫描电镜)

智能文字提取功能测试中

Applicatio SU9000 超低电压下高分辨在多孔材料中的应用 介孔材料是指孔径在2-50nm 的一类多孔材料.介孔硅大多指的是具有2-50nm孔径的无定形氧化硅材料.这类材料是1992年首先由mobil公司首先以 CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)为模板剂，结合溶胶凝胶法合成的代号为MCM-41 的材料.孔径一般小于3纳米.另一类重要的代表是以SBA-15材料为代表.此材料利用非离子表面活性剂P123为模板剂，酸性条件催化 TEOS水解制得的.由于非离子表面活性剂疏水链较长，所以最终得到的材料孔尺寸明显增大。介孔材料结构示意图如下： 介孔材料结构示意图 介孔材料具有诸多优点，具有高度有序的孔道结构，孔径呈单一分布调控(1.3~30nm)， 具有不同结构、孔壁组成和性质，很好的稳定性，高比表面、高孔隙率，颗粒可能有规则外形，具有不同形貌，而且在微观结构上介孔材料的孔壁为无定型，应用前景广泛，大分子催化、生物过程等。如下图： SU9000 0.5kV-D X500k 100nmSU9000 0.5kV-D X800k SE(U) 50.0nm 介孔硅(加速电压500V)左图500k倍， 右图 800k倍 对于多孔材料结构的表征SU9000 带来完美的解决方案，由于介孔硅材料不导电，对加速电压很敏感，容易受到电子束的损伤，通常考虑降低加速电压进行显微观察，如上图利用减速模式下 0.5kV 的着陆电压可以清晰的看到介孔硅的孔径、孔壁及形态结构，并且达到最高 800k 的超高放大倍数，从而得到材料的真实形貌与理论相匹配。(样品来自 Dr. Toshiyuki Yokoi， Chemical Resources Laboratory， Tokyo Instituteof Technology) SU9000 全新的真空系统及电子光学系统可以做到超高分辨率 0.34nm，可以对材料的形貌、结构等进行多方位的观察和分析，对易受电子束损伤及导电性差的样品尤其适合。 对于多孔材料结构的表征SU9000带来完美的解决方案，由于介孔硅材料不导电，对加速电压很敏感，容易受到电子束的损伤，通常考虑降低加速电压进行显微观察，如上图利用减速模式下0.5kV的着陆电压可以清晰的看到介孔硅的孔径、孔壁及形态结构，并且达到最高800k的超高放大倍数，从而得到材料的真实形貌与理论相匹配。