Hakuto 离子蚀刻机20IBE-J 用于陶瓷基片银薄膜减薄

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某陶瓷基片制造商采用伯东  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于 5G 陶瓷基片银薄膜减薄, 通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄, 并降低工差, 提高薄膜均匀性.Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数Φ4 inch X 12片基片尺寸Φ4 inch X 12片Φ5 inch X 10片Φ6 inch X 8片均匀性±5%硅片刻蚀率20 nm/min样品台直接冷却,水冷离子源Φ20cm 考夫曼离子源 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:离子源型号RFICP 220DischargeRFICP 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr中和器LFN 2000 推荐  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J  理由:1. 客户要求规模化生产,  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 适合大规模量产使用2. 刻蚀均匀性 5%, 满足客户要求3. 硅片刻蚀率 20 nm/min伯东离子蚀刻机主要优点1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.3. 配置使用美国考夫曼离子源4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.伯东离子蚀刻机应用领域上海伯东是德国 Pfeiffer  真空设备, 美国  KRI 考夫曼离子源, 美国Gel-pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机， 日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Stratasys 3D 打印机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络 上海伯东: 罗女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！