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光刻胶是微电子制造的核心材料之一，具有极高的技术壁垒，其成分配方工艺对光刻产品的性能具有重大影响。本文探索建立红外光谱定性分析光刻胶主要成分的方法，通过测试烘干光刻胶溶剂前后的红外光谱图，结合标准谱库和官能团分析等手段，可获得光刻胶中主要成分信息。该法具有分析速度快、操作简单、成本低和结果可靠等优势，可作为分析光刻胶成分的手段之一。
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光刻胶成分复杂且技术门槛极高，其工艺水平直接关系微电子的光刻效果。红外光谱法提供了一种分析光刻胶主成分的思路，具有分析速度快，成本低和操作简单等优点，可作为光刻胶定性分析的有力补充手段。
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岛津企业管理（中国）有限公司为您提供《红外光谱法分析光刻胶的主成分》，该方案主要用于其它中光刻胶检测，参考标准《暂无》，《红外光谱法分析光刻胶的主成分》用到的仪器有岛津（Shimadzu）IRXross傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）。
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