请问一个关于硅死层的问题

为什么叫硅死层呢？
EDS的原理就是通过Si接受特征X射线产生空穴，传递脉冲信号。Li是用来增加灵敏度的吧？
外行，不知道理解的对否。

不知道呢，请前辈赐教啊！！

怎么还是没有高手露面呢？？

SI(LI)檢測器的檢測晶體是純硅晶體﹐但是它的純度不夠﹐也就是說最純的硅晶也有空洞﹐鋰是熔點最低的金屬﹐所以選用鋰來填充硅晶上面的空洞﹐具體使用的技術是漂移。
如果使用鍺(GE)作檢測晶體的話﹐鍺晶體就沒有空洞。
使用鋰漂移進硅晶的方法是不得以而為之﹐因為X射線光子打到鋰上總比打在空洞上好。
GE檢測器沒有洞﹐所以解析度比又洞的SI檢測器好8EV。
硅死層是硅晶的最外層﹐是失效的硅原子﹐X射線打在上面不會出現電子空穴對﹐硅死層也是我們不希望看見的﹐我們希望硅晶體一層死層都沒有﹐這樣我們就會得到最高輸入計數。
為了最大程度的減低硅死層帶來的不利﹐還有SI本身只是半導體﹐廠家一般會在硅晶體上鍍金﹐以增加輸入計數﹐但是金層吸收偏高﹐所以廠家改為鍍鎳了。
所謂金層或鎳層的吸收效應是我們不願意看到的。
不同的能量吸收可以通過觀察連續譜(背底)的起始點確定。

非常感谢您的解答！！
但是探测器不是跟PN结很相似吗？那请问EDS探测器的P层和N层分别是什么呢？

原来这里还问着，问到结果来这里讲一下哦

现在还云里雾里呢！

呵呵，问了再说吧

几种硅探测器（PN探测器、PIN探测器、面垒[SB]探测器、硅[锂]探测器或者Si[Li]探测器、硅漂移探测器或者SDD、最先进的外部场效应管硅漂移探测器或者第二代商品硅漂移探测器或者VITUS SDD）的简单原理、性能等在www.bjgfd.cn的专业词典栏目中都有介绍，请这里各位都去看看。（很抱谦不敢苟同这里的回答）