电制冷能谱的和峰及逃逸峰

入射X光子能激发硅原子产生硅的K 系射线, 如果硅X射线未被再吸收而逸出, 测到的原光子净能量将减掉硅X射线, 在原来的母峰之下出一峰.(比母峰低1.74Kev)

如果入射X射线的能量小于激发硅X射线的能量, 没有逸出峰产生. 因此铝不出现逸出峰,原子序数比磷大才可能产生逸出峰.（也称逃逸峰，是硅探头中的硅产生的）

第一张图和第二图要连起来看,其实，下面的文字就是对这两张图的解释，以测量Ti为例，Ti的X—光子能量为4.51Kev,该X—光子有可能激发探测器中的Si原子，Si原子的特征能量为1.74Kev, Ti原子的特征能量4.51 Kev减去Si原子的特征能量1.74Kev，得到的能量2.77Kev，该处的峰值就称作Ti的逃逸峰。就在下面那张图白线位置。