第8楼2004/08/12
我用的是日立的s-3000n+Horiba Emax-energy﹐在低真空狀態下進行樣品元素分析的時候也發生將樣品台上的元素打出來﹐適當調高真空度﹐該種狀況可以大大的減少。理論上電子束只能穿透<10nm的薄層﹐無法穿透樣品層而直接打到樣品台上造成其元素激發。
低真空這種現象發生的原因可能是二次電子散射造成detector收集到電子束打到樣品台上的二次電子造成的。
高真空這種現象也可能發生﹐其原因可能是電子束打在樣品上瞬間溫度抬高﹐樣品如果不耐高溫有可能就被擊穿﹐造成電子束打在樣品台上。
上述兩種狀況均有可能產生不希望出現的元素被探測到。
不知各位看法如何??