ICP-MS在碰撞模式下能否加入去干扰方程

应助达人

• 碰撞模式可以很好去除干扰,不需要在编辑干扰方程
  
• 不同的碰撞气会影响同位素的丰度比

首先，在 nogas模式下 就存在质量歧视效应。例如 7/6Li 天然丰度是 ~12.3，你在四极杆ICP-MS实测 肯定高于15。
其次，He碰撞模式 只能消除 多原子团贡献的 干扰，而对 双电荷干扰束手无策。
He模式下 测 As Se，就会受到 稀土双电荷的叠加—— 安捷伦 ICP-MS 软件提供 窄峰/半质量分辨率 的干扰校正方程

有些复杂样品，不管怎么优化条件，碰撞模式都去除不完全，主要是考虑这种问题，能不能在碰撞模式下加入去干扰方程，这样效果岂不是更好，但如果丰度比变化的话，感觉不能加入去干扰方程了

老师的意思是不是碰撞模式不会影响同位素丰度比的变化，那这样的话去干扰方程应该是可以加入的对吧？

He模式可以用校正方程的，比如He测定114 Cd，可以用校正方程去除 114Sn的干扰

其实我也觉得碰撞模式不会影响同位素丰度比的变化，如果这样的话，我感觉去干扰方程应该是可以加入的。

现阶段只能认为 Nogas与碰撞模式 不会影响 同位素丰度关系。
例如 引入 6Li作为测试内标，总6Li信号= 内标6Li + 样品 6Li = 内标 6Li + 样品7Li÷12.30
即 内标6Li = 总6Li信号 — 样品7Li÷12.30

上面已经说了，由于质量歧视效应，7/6Li 在四极杆 ICP-MS 的实测比值通常超过 15
所以，精益求精的话，内标6Li = 总6Li信号 — 样品7Li÷15.xx

He模式下 同样也存在 质量歧视导致的 同位素实测比值，偏离 推荐范围 的现象。