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【实战宝典】有没有简便的ICP-MS分析多晶硅中磷的方法?
小官人-闭关修炼中
2022/07/05
私聊
ICP-MS
问题描述:有没有简便的
ICP-MS
分析多晶硅中磷的方法?
解答:
传统的,
ICP-MS
分析多晶硅中的磷需要氢氟酸溶解后赶硅后定容分析,该方法前处理冗长,条件不易控制,同时实验过程中沾污控制难,往往碰到挑战,对分析人员操作要求较高。
下面介绍一种简便的
ICP-MS
分析多晶硅中磷的方法。
[25]
样品前处理方法
1
)用
1:1
比例的硝酸和氢氟酸将多晶硅颗粒表面清洗,再用超纯水润洗吹干。
2
)称取一定量
20 -50mg
样品。
3
)将样品放入干净的
PFA
瓶中
(
已事先清洗干净
)
,然后加入
2-5g
浓
HF/HNO3
混合物
(38%HF:55%HNO3=1:1,TamaPure, Tama Chemicals)
,瓶子盖好盖子后静置
30
分钟。
4
)待样品完全溶解后,加入超纯水至约
20-50g
,至此硅的浓度在
0.1
%左右。此溶液即为最终待测溶液。如果样品非常脏,需进一步稀释样品。
依照上面同样流程准备一个空白溶液(无硅基体)。空白样品用来确认样品准备过程中的污染程度。
样品分析方法
仪器采用
NexION5000
ICP-MS
。分析方法采用标准加入法,以消除基体中的物理干扰和化学干扰。同时利用动态应池(
DRC
)技术通入反应气进行分析物的转移。
样品分析结果
以上内容来自仪器信息网《
ICP-MS
实战宝典》
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