RIC7S113A4功率MOSFET和IGBT驱动器

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2024/05/28

私聊

其他仪器综合讨论

RIC7S113：抗辐射高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，适用于太空等环境。
VOFFSET (max) = 400 V

VCC = 10 V to 20 V

VDD = 5 V to 20 V

IOUTA/B source/sink (typ) = 2 A / -2 A

ton (typ) = 120 ns

Toff (typ) = 100 ns

MT (typ) = 5 ns

TJ = -55°C to 125°C

功能特点：

1. 独立高低侧栅极驱动器，±5V偏置电压。

2. 节省空间和重量，无需栅极驱动变压器。

3. 欠压锁定、CMOS施密特触发输入。

4. 匹配传播延迟、边沿触发、集成电平转换。

5. 密封包装、抗辐射、单粒子效应硬度。

6. 安全工作区定义、瞬态抗扰度。

7. 应用：卫星、功率调节、配电、DC-DC转换、电机驱动。更多相关产品信息请访问立维创展ldteq.com

Orderable part number	Package type	Device class	Total ionizing dose leve	Temperature range (℃)
RIC7S113A4SCS	Flatpack	Level S1	100krad(Si)	-55 to 125
RIC7S113A4SCB	Flatpack	Level B1	100krad(Si	-55 to 125
RIC7S113A4	Flatpack	COTS	100krad(Si)	-55 to 125
RIC7S113C4CDK	Die	Class K1	100krad(Si)	-55 to 125
RIC7S113C4CDH	Die	Class H2	100krad(Si	-55 to 125
RIC7S113C4CDV	Die	Visual Inspection Only	100krad(Si)	-55 to 125
RIC7S113E4SCS	LCC CIC	Level S'	100krad(Si)	-55 to 125
RIC7S113E4SCB	LCC CIC	Level Bl	100krad(Si	-55 to 125
RIC7S113E4	LCC CIC	COTS	100krad(Si)	-55 to 125
RIC7S113L4SCS	MO-036AB CIC	Level S	100krad(Si)	-55 to 125
RIC7S113L4SCB	MO-036AB CIC	Level B1	100krad(Si	-55 to 125
RIC7S113L4	MO-036AB CIC	COTS	100krad(Si)	-55 to 125
RIC7S113EVAL1	Evaluation Board