汗，我的学历可不是电镜学历啊，经验也是局限于我从事的样品方面。renxin大侠本来挺合适的，可惜他太忙了，来的比较少，论坛需要人能经常在，无论回答问题还是介绍其他的，有人气才能吸引更多的人加入交流的行列啊。

EDS的取样深度近似等于入射电子束的穿透深度，与过压比、样品本性有关，可用Anderson 和 Hasler表达式估计：
R = 0.064 ( Eo 1.68 - Ec 1.68 ) / r
式中：R    = 空间分辨率，μm
    Eo=加速电压， KeV
    Ec= 临界电离能，KeV
    r= 样品密度，g/cc

你选择的束斑20nm太小了

Quantitative Results
Elt XRay Int Error K Kr W% A% ZAF Formula Ox% Cat#
O Ka 1.7 0.1788 0.0493 0.0326 15.05 30.63 4.6185 0.00 0.00
Na Ka 3.4 0.2519 0.0415 0.0274 5.58 7.91 2.0349 0.00 0.00
Mg Ka 1.9 0.1913 0.0224 0.0148 2.47 3.31 1.6674 0.00 0.00
Al Ka 1.8 0.1849 0.0204 0.0135 1.94 2.35 1.4434 0.00 0.00
Si Ka 40.3 0.8723 0.4609 0.3046 38.20 44.31 1.2542 0.00 0.00
K Ka 0.0 0.0000 0.0000 0.0000 0.00 0.00 1.2983 0.00 0.00
Ca Ka 5.1 0.3097 0.0980 0.0648 7.84 6.37 1.2094 0.00 0.00
In La 0.8 0.1229 0.0310 0.0205 2.94 0.83 1.4336 0.00 0.00
Au La 0.8 0.1255 0.2765 0.1828 25.98 4.30 1.4216 0.00 0.00
1.0000 0.6609 100.00 100.00 0.00 0.00



Automatic Identification Results
Elements Present:
O(8), Na(11), Mg(12), Si(14), Ca(20)
Possible Additional Elements:
Al(13), K(19), In(49), Au(79)

Energy Intensity Elements Elements
(keV) (counts) Present Possible
0.505 88 O Ka
1.042 205 Na Ka
1.260 94 Mg Ka
*1.486 63 Al Ka
1.739 2579 Si Ka
*2.155 56 Au Ma1
*3.316 43 K Ka
*3.700 260 Ca Ka
In Lb2
4.006 60 Ca Kb1



我看不太懂，哪几项是关键参数？

取决于样品和电压。 听说有很多模拟软件。在EDAX公司培训的时候他们给了个模拟软件。但只能在EDX的computer 上用。 安装在笔记本上用不了。如果你有EDX系统。 我可以发给你。

要向楼主多多学习

知道这么多，真强！

在20kv下，Si的取样深度是5um，Au大约0.5um。
10kv下，Si是1um左右，Au只有零点几微米了