原理上区别很大：
主要是探测晶体不一样，硅漂移和锂漂移的区别
工作温度不一样：SDD可以在接近室温的条件下工作，无需液氮制冷
速度不一样：SDD处理能力比Si(Li)能力强很多。

可否展示一张5K倍的MAP图？
或者我邮寄一个样品，请你们做一个MAP（5K倍）来确认一下效果？另外我司的电镜是普通的W丝的SEM,而非场发射的，在这种情况下，拍摄5K倍的MAP图，还可以得到那么清晰的效果吗？

18000倍下的半导体器件

请问布鲁克公司在国内有几个办事处？北京的是总部吗？

冷场发射的扫描电镜,可以使用吗。如果用，计数率会不会较低。

老的冷场不行，这是事实。原来的日本电子冷场JSM-6700F在中国卖了很多，这款电镜比较成功，但做能谱超级麻烦，而且计数率太低。现在中国用户提到冷场都说做能谱不行，就是从它那儿得出来的结论。但是现在的冷场技术可不比从前了，下图是用日立的S-4800测试Ti时的计数率，不低了吧。另外，出个小问题，此时的实际输入计数率达到多少呢？

这用的是牛津的能谱吧?我们这里的s-4800用的就是这种能谱,我对能谱的应用比较少，从这图中只能看出死时间比较高（汗）。前面的问题的意思是如果冷场发射扫描电子显微镜使用SDD探测器是否能够发挥出探测器的高计数率优势呢？还有比较弱的问题，一些老的教材讲的能谱在做定量分析时需要计算许多修正因子ZAF等等。在实际操作中怎样处理, 请高人解答。

hitachi-demo 发表:老的冷场不行，这是事实。原来的日本电子冷场JSM-6700F在中国卖了很多，这款电镜比较成功，但做能谱超级麻烦，而且计数率太低。现在中国用户提到冷场都说做能谱不行，就是从它那儿得出来的结论。但是现在的冷场技术可不比从前了，下图是用日立的S-4800测试Ti时的计数率，不低了吧。另外，出个小问题，此时的实际输入计数率达到多少呢？

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这用的是牛津的能谱吧?我们这里的s-4800用的就是这种能谱,我对能谱的应用比较少，从这图中只能看出死时间比较高（汗）。前面的问题的意思是如果冷场发射扫描电子显微镜使用SDD探测器是否能够发挥出探测器的高计数率优势呢？还有比较弱的问题，一些老的教材讲的能谱在做定量分析时需要计算许多修正因子ZAF等等。在实际操作中怎样处理, 请高人解答。
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原来是“同伙”，呵呵
1：我用的HORIBA能谱，和牛津是一回事。这个死时间是超级高了，而且您可以看到process time是1，如果process time选作2的话，死时间就是百分之百了。冷场的束流对于能谱来说也够强悍了，呵呵。
2：SDD的最大优势应该在于它能够轻松处理非常高的计数率，同时还能保持高的能量分辨率。您可以用您的能谱试一下，对于同样的样品，同样的条件，当process time=1、2、3、4、5、6时，测得结果的能量分辨率肯定是越来越高的。但是，能量分辨率高的同时却使死时间越来越高，死时间太高不行，解决方案就是降低电镜的束流，同时测试时间也要相应延长。 SDD的强悍处理能力可以有效解决以上矛盾，所以我个人觉得SDD是将来的发展趋势，总有一天，它会取代传统的Si（Li）探测器。当然，各家的SDD会有不同，不能一概而论。数据的处理能力这一块特重要，不然，即使是一块SDD的芯片，没有强大的处理能力，也只是披着狼皮的羊。以上只是我个人的体会，欢迎讨论。
3：现在有很多种修正方法，但他们的核心都是ZAF（原子序数、吸收、荧光）。每个厂家的修正方法会有不同，比如有一家的修正方法就是基于中等元素的，这样会带来一个弊病。在实际操作中，不必理会修正方法这一块。

谢谢！非常受益。

嗯，感觉很不错！

我单位一台液氮的，正如楼上的楼上所说，死时间超高。如有可能，下次还是换电制冷比较好，省得时不时打电话说，某某哥们，帮我加一次液氮！