既然EDS的探测深度是1~3微米，那为什么喷了金的样品在打能谱时会有很多金的谱峰呢？（喷金厚度一般是10纳米）也就是说很表层的元素不是照样打出来了吗？

同意jwlee的回答：1、EDX的探测深度大约为1-3微米；
2、探测深度可由加速电压控制。加速电压越低，探测深度就越浅，反之越深；
3、入射电子能量降低到一定程度时，X射线产生概率才最大，所以，样品表面产生X射线的概率并不是最大的。
我的补充：


在梨形壳体范围内从上到下都有X射线，产生这种现象的原因是“过压比”在起作用。

X射线在试样中的
穿透深度Zm（µm）
和加速电压V0（KV）
间的经验公式为：

Zm=0.033(V01.7-Vk1.7)A/ρZ
ρ为试样密度， A为原子量

X射线在试样中的
穿透深度Zm（µm）
和加速电压V0（KV）
间的经验公式为：

Zm=0.033(V01.7-Vk1.7)A/ρZ
ρ为试样密度， A为原子量

微米级，可以试验

影响探测深度的因数有很多,支持楼上提到的经验公式[Zm=0.033(V01.7-Vk1.7)A/ρZ].
深度的范围大约在: 零点几个微米--几个微米.
導電性好的样品,例如金属样品,穿透的深度就较浅.相反,導電性差的绝缘性样品穿透的深度比较深.

请问公式中，Z，Vk, 分别是什么啊？多谢！

请问公式中，Z，Vk, 分别是什么啊？多谢！

Zm: 电子束激发深度（μm）
V0 : 激发电压（仪器用的高压）千伏
VK: 吸收边 （ 临界激发电压） 千伏
A: 原子量
ρ : 密度 克/厘米3
Z : 原子序数

X射线在试样中的穿透深度Zm（μm）
和加速电压V0（KV）
间的经验公式为：

Zm=0.033(V01.7-Vk1.7)A/ρZ
ρ为试样密度， A为原子量
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Zm: 电子束激发深度（μm）

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概念有点混乱，

Zm 应该是特征X射线的最大取样深度。