赞同，大面积SDD探测器！！！，不过面积大了以后有以下几个问题需要解决：
1.大面积探测器的分辨率，特别是原子序数较小元素的分辨率，如C元素，这个指标是非常非常重要的。目前我知道的大面积(40平方毫米)SDD最好的指标是：46eV
2.大面积SDD薄窗破损问题，面积越大，承受的压力肯定越大，理论上讲，造成窗口损坏的机率越大。
3.处理器的处理能力问题，大面积SDD可以采集足够强的信号，需要进一步提高现有处理器的处理能力，比如目前布鲁克40平方毫米的SDD探测器可处理3000，0000cps的输入计数，如果面积进一步增大，那么对处理器的要求就非常高，因此我觉得在增大面积的同时，配置配套的处理器是关键。
如：
10~30平方：最好处理器处理能力不小于1,000,000cps
40~50平方：最好处理器处理能力不小于3,000,000cps
50~80平方：最好处理器处理能力不小于10,000,000cps
只有具备了以上能力的处理器，大面积SDD的优势才会充分发挥。

支持电致冷。

电制冷能谱是发展趋势，这毋庸置疑。
判断能谱的好坏，最好就是亲自带着样品去考察，销售说的往往有水分，尤其是经常指责竞争对手的销售（职业素养也较差）。想知道更多的信息，在考察的时候多与他们公司的技术人员交流，他们的话可信度比较高。这是我本人采购的经验。

实验室前段时间就说要买能谱仪，看样可以提点建议了

hitachi-demo老兄是哪位？是天美的吗？

最近公司在考虑购进SEM和能谱，看了一大堆的文章，不论是OXFORD还是EDAX，还有BRUKER的网站，几乎没有见到多少描述SSD的缺点的~不过为啥不流行呢？比较奇怪！准备亲自去考察一番。

买小日本的能谱仪，
你就等着修吧！
修理费贵死你！

销售人员都是骗子---
基本上都是,只能自己去多打听,多上网到各论坛上去问,销售人员所说的能信一半就已经不错了.

有争论分歧才可能有巨大发展，抱残守缺，平平稳稳似乎不是这个时代特征！
探测晶体应该是纯硅，杂质硼的存在导致硅晶格缺陷，传统液氮制冷探测器晶体采用Li漂移置换杂质硼，需要稳定的温度是非常低，否则逆飘逸后造成硅死层，严重的探测器就报废了。
现在有了新技术能够替代Li漂移硅晶体，就是si漂移晶体，大家都是龟了，都稳定了，漂移过去后，不想走了，没有后顾之忧虑了，所以不必要低温保持了。唯一需要考虑的是场效应管的工作温度，零下几十度就ok。

si漂移探测晶体（SDD)电制冷使用维护超级方便，
相对Si(Li）唯一缺点是，sdd探测晶体还不能制作的像Si(Li）晶体那么厚。

没有用过电制冷的能谱仪，也不知道性能咋样，但液氮制冷的能谱仪还是蛮好用的