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  • 0217

    第11楼2008/11/10

    谢谢楼上的各位！

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  • 人来人往

    第12楼2008/11/10

    你的提问也使其他版友了解到更多知识，欢迎常来！

    0217 发表:谢谢楼上的各位！

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  • 白水山石

    第13楼2008/11/12

    两者的区别主要二者能量不同,半导体激光器的功率高,可检测到的散身光的强度大,在测量体系的浓度范围上会宽一点,但其光波长的单一性差,所以检测器所获得信号后进行处理时会有偏差.各和利弊,楼主自己权衡.

    0217 发表:准备要购买一台激光粒度仪,收集了不同厂家的资料.光源有①半导体激光，功率为30mW，②He-Ne激光器，功率为3mwW。请教两种光源的不同点？哪一种更适合测试100～500nm的碳粉粒径。

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