学习中。。

路过 来学习学习

建议将附件上传到资料库去供大家下载。一般厂商做RoHS检测来讲，用波长的比较少，应用电制冷的EDX是比较好的选择。波长应用的检测范围和宽度要优于EDX，但其操作的简易程度和对技术的要求来讲有比EDX要复杂。
主要是看应用、要求规格参数，然后选择适合的机型。

路过 学习了 谢谢

学习一下。
多谢！

2)检测器

A．SDD：
新型的SDD检测器属高纯硅检测器，分辨率可跟Si-Li检测器差不多，并且不需要液氮制冷，但稳定性不够好。是在高纯n型硅片的射线入射面制备一大面积均匀的pn突变结，在另外一面的中央制备一个点状的n型阳极，在阳极的周围是许多同心的p型漂移电极。在工作时，器件两面的pn结加上反向电压，从而在器件体内产生一个势阱(对电子)。在漂移电极上加一个电位差会在器件内产生一横向电场，它将使势阱弯曲从而迫使入射辐射产生的信号电子在电场作用下先向阳极漂移，到达阳极(读出电极)附近才产生信号。硅漂移探测器的阳极很小因而电容很小，同时它的漏电流也很小，所以用电荷灵敏前置放大器可低噪声、快速地读出电子信号。是Si-PIN检测器的换代产品。

B．SSD：
SSD检测器属硅锂检测器，分辨率及检测灵敏度高。稳定性好，但是需要液氮冷却。硅(锂)[ Si(Li)]探测器，也叫硅锂漂移探测器。是在P型硅表面蒸发一层金属锂并扩散形成PN结，然后在反向电压和适当温度下使锂离子在硅原子之间漂移入硅中，由于锂离子很容易吸引一个自由电子而成名，从而与硅中的P型(受主)杂质实现补偿而形成高阻的本征层(探测器的灵敏区)。硅(锂)探测器的特点是灵敏层厚度可以做得相当大(3-10毫米)，因而探测器电容也比较小，探测效率高，但是必须在液氮冷却下保存(因为在室温下锂离子的迁移能力已经不能忽略了，而锂离子的迁移会破坏在制备硅(锂)探测器时达到的精密补偿。这是硅(锂)探测器保存时候也需要在液氮温度的根本原因。当然还有其它原因)和工作。

C．Si-PIN：
老的PIN探测器分辨率差，稳定性差，并且对测试重金属的灵敏度不够高。PIN探测器是具有PIN结构的(其中间层实际上是高阻的全耗尽层，其载流子很少，与本征层和绝缘体层有类似之处)用于探测光和射线的探测器件。硅PIN探测器室温下的漏电流在纳安(nA)数量级，比其上一代的硅面垒探测器要小差不多3个数量级，是硅面垒探测器的换代产品，但是PIN探测器的电容仍然和面垒探测器一样，随探测器面积的增大而正比增大，这导致探测器噪声还是偏大，同时成形时间常数不能太小因而计数率不能高。这就是PIN探测器不仅在技术上而且在性能上也要比硅漂移探测器差整整一代的原因。

太详细了 谢过~~~

XRF除了做RoHS检测，作为成份分析的辅助检测设备也是很好的