嗯，二次电子像就是要将电压降下来，是减少其他信号的干扰吧，BSE信号是高压的时候才比较强的。

你的回答再加上 SEANWEN朋友和 SHXIE斑竹的答案 ， 应该就是答案， 我也在学习呦。
不过二次电子像对加速电压并不敏感，但如SHXIE斑竹所说， 可以减少BSE的干扰。
30KV的纯二次电子像和1KV的差别真的不大。
纯成分像只有在样本没有任何形貌的情况下才能得到。
请继续指教。

没有任何形貌指得是光滑膜表面吧？这个要观察形貌像也比较麻烦，需要把样品台倾转一下的吧。
30Kv和1Kv的二次电子像差别在于信噪比吧，质感不同啊，我一般都用高电压，低电压太痛苦了，不过你用的场发射感觉差别不大也正常。

高低加速电压的二次电子像还是有区别的，看纳米管、薄膜等较薄样品时很明显，加速电压一高，可看到样品下面的东西。

是的，没有形貌就是平板一块， 不过倾斜样本只能增加信号强度， 平板一块还是平板。
是的， 高压SE像噪音较低压低， 不过SE信号强度基本一样呦。

对凹凸不平的表面从上往下看可能看不出高度与深度，倾斜后会比较明显，曾经在网上看过这样的资料。KEYENCE的说明书上说在看表面细节的时候最好用较低的加速电压，这些细节会在大加速电压下损失掉，我试过一下，但好像没凑效。

您没有看 SHXIE的第三张贴， 二次电子只在 5-10NM层， 高加速电压是看得深没错， 可看到的不是二次电子呦。

没错， 只要有形貌， 倾斜样本 看到的是很不一样， 因为ET检测器的检测角度变了。
正像SHXIE斑竹说的一样，低电压工作很痛苦， 原因是信噪比太低。
不过据我的经验， 你越能忍受噪音， 坚持工作， 最后得到的 图像就越 清晰。
这种低信噪比的情况 在高倍照相的时候也会出现， 原因不一样呦。

这种细节损失指的是分辨率足够高的时候吧，一般的电镜能看到吗？

是啊，如果能慢扫，得到的图片还是很不错的，但是你怎么能保证慢扫的时候样品一点都不漂移？还是很难的。