多谢，受教了

建议你多问几个人，是否有相同的情形。
我这里FEI CM20 带的eds总是Cu峰巨高，是靶子的问题。

可能还是样品的问题。在制样过程中，界面处可能有了小裂缝，或者你的样品本身基体和反应物之间有裂缝，这样电子束直接打到铜环上了。

应该不是裂缝，因为不仅是界面层，我的粗大的反应产物上也测出来了铜，而且铜只分布在反应产物上。如果是裂缝，Cu峰的分布不会和Zr这么一致，总有点儿偏差吧。

觉得drizzlemiao说的可能性最大，决定下次做的时候，倾转一下试样看看

界面处电子散射比较强 散射的电子打在铜网上激发出铜的特征X射线？没看清界面的衬度怎样

铜的讯号产生于杂散电子和杂散X光，即未集中在电子束中的电子和产生于电子束照明区间以外的X光。这些讯号表现为照射区域周围大量存在的元素，如析出物的基底、小颗粒的周围环境、样品支撑网等。
在你的例子中，Zr会散射更多的电子到大角度，因而有更多的机会产生Cu网的讯号。Zr的K线系又恰好可以激发Cu的X光。Zr的X光发生后将向空间所有的方向传播，故激发Cu的几率很大。所以，观察到Cu 有类似于Zr的分布实际上是很正常的。这类现象常见，比如在半导体里，钨可以引起更多的铜（支撑网）X光数。事实上，整个X光谱的背底也会有所增加，请注意观察证实。如果仍有怀疑，最好使用其它的样品网（如钼网）再重复试验。
另外，你的STEM图像衬度似乎有些过饱和了。应减小衬度或强度。

多谢楼上回复。老将重出江湖，欢迎常来指导。

多谢各位高手们指点.弄明白一件事总是很让人高兴的.

非常感谢各位前辈的指导.关于这个铜特征峰的问题.我在Fultz, B., & Howe, J. M. (2008). Transmission electron microscopy and diffractometry of materials这本书的P214找到和tem_abc差不多的解释.

有兴趣的朋友可以去看看.也算是补充下可以引用的理论依据.