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  • 第31楼2005/10/27

    对头，FET 是MOS管，只有源漏删，楼上说的可以多删也是对的，像常用的EEPROM结构就采用了两个删，其中有一个是浮删，因此用该结构做成的存储器件有擦写功能。呵呵跑题了

    renxin 发表:查了一下， 看来 我需要 更经常些 更新 记忆， 您是对的， 我讲错了。

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  • 第32楼2005/10/28

    对于数字电路之类的物理知识，俺真是听天书一样

    Channel5 发表:对头，FET 是MOS管，只有源漏删，楼上说的可以多删也是对的，像常用的EEPROM结构就采用了两个删，其中有一个是浮删，因此用该结构做成的存储器件有擦写功能。呵呵跑题了

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  • 第33楼2006/04/11

    原来如此，谢谢了

    renxin 发表:正是， GE晶体纯度要比SI高， 所以没有空洞， 不需要用 LI漂移 补偿， 所以 处理 X光子效率高。
    为了保持 GE晶体的稳定性， 用不用都必须 添加液氮， 使得维护变得很麻烦，

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  • 第34楼2007/12/07

    Ge探头分辨率高，曾经很受追捧，但由于维护不方便，而且价格也很贵，所以现在买的不多了。

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