单晶硅材料由于其应用领域的特殊性要求其纯度要求高，在单晶硅生产过程中引入了碳、氧等杂质，因而需对单晶硅材料中的氧碳含量进行控制。
依据GB/T 1558-2009和GB/T 1557-2006，红外光谱法可以在对单晶硅中代位碳和间隙氧进行定性的同时进行定量测定光谱仪法测试，iCAN 9傅立叶光谱仪测试也比较简单，快捷。样品也不需要特殊处理。