low mass cut off么？
只有RF的时候的确会让更多的离子通过，但是稳定区域跟q轴是有交点的，存在最大值q=0.908，此时如果射频电压和频率一定的话是存在最小的离子质荷比的。不是太清楚四极杆中存不存在低质量歧视效应，我看有人说三重四极杆克服了离子阱的低质量歧视效应，不知道是怎么克服的？

当时答得匆忙，后来看了附件研究了下，谱谱统通的解释更加准确~~~~~~·

四极杆是各个杆上都有直流和交流电压，相对的两根施加的电压完全一样，而与其余两根电压幅值相同，而相位相反（差180度），这样四极杆内部就形成了四极场，根据马修方程，不同的电压信号使得不同的离子有不同的a，q参数，这样离子就按a，q参数分布在稳定图上。处于稳定区域的离子就可以在四极场内稳定振荡（xy平面内才是四极场，z向即杆子的延伸方向不是四极场），最终沿z向飞出四极杆到达检测器；处于非稳定区域的离子就会做振幅逐渐增大的非稳振荡，而最终打到杆子上或者飞出四极杆外。四极杆有很多工作模式，每种模式电压信号的施加方式都是不同的，所以电压的扫描可以连续的也可以跳跃的。比如连续时，如图里所示，保持U/V为定值，使得图中直线与稳定区域的的交点比稳定区顶点稍稍低一点，然后扫描射频电压幅值，这样离子就会按分子质量从小到大的顺序通过四极杆到达检测器；跳跃变化（select ion monitoring SIM）时针对某些已知离子，直接让这些离子依次处于顶点附近的稳定区域，然后检测，对于样品量比较少的时候是有益的。
附件我试了，可以下载的~~是不是您的网络环境不太好？

四级杆不是高质量歧视吗？

应助工程师

很多MS上的六极杆或者八极杆，就是只加RF，可以对离子起到聚焦作用。

好难懂呀，学习

这是一个数学物理问题，可以用数学的方式解决。用笔算比较麻烦，但是也是可以计算的！我曾经用笔和电脑模拟过。

最好用Mathematic进行计算和模拟：

1、计算微分方程：

DSolve[{x''[t] + (a + 2 q*Cos[t]) x[t] == 0, x[0] == c, x'[0] == d}, x[t], t]

得出结果：

{{x[t] -> (2 d MathieuC[4 a, -4 q, t/2] MathieuS[4 a, -4 q, 0] -

2 d MathieuC[4 a, -4 q, 0] MathieuS[4 a, -4 q, t/2] +

c MathieuCPrime[4 a, -4 q, 0] MathieuS[4 a, -4 q, t/2] -

c MathieuC[4 a, -4 q, t/2] MathieuSPrime[4 a, -4 q,

0])/(MathieuCPrime[4 a, -4 q, 0] MathieuS[4 a, -4 q, 0] -

MathieuC[4 a, -4 q, 0] MathieuSPrime[4 a, -4 q, 0])}}

2、做粒子运动模拟，更是可以看出粒子运动轨迹。
Manipulate[ Show[Graphics3D[ Sphere[{(2 d MathieuC[4 a, -4 q, t/2] MathieuS[4 a, -4 q, 0] - 2 d MathieuC[4 a, -4 q, 0] MathieuS[4 a, -4 q, t/2] + c MathieuCPrime[4 a, -4 q, 0] MathieuS[4 a, -4 q, t/2] - c MathieuC[4 a, -4 q, t/2] MathieuSPrime[4 a, -4 q, 0])/(MathieuCPrime[4 a, -4 q, 0] MathieuS[4 a, -4 q, 0] - MathieuC[4 a, -4 q, 0] MathieuSPrime[4 a, -4 q, 0]), (2 f MathieuC[-4 a, 4 q, t/2] MathieuS[-4 a, 4 q, 0] - 2 f MathieuC[-4 a, 4 q, 0] MathieuS[-4 a, 4 q, t/2] + e MathieuCPrime[-4 a, 4 q, 0] MathieuS[-4 a, 4 q, t/2] - e MathieuC[-4 a, 4 q, t/2] MathieuSPrime[-4 a, 4 q, 0])/(MathieuCPrime[-4 a, 4 q, 0] MathieuS[-4 a, 4 q, 0] - MathieuC[-4 a, 4 q, 0] MathieuSPrime[-4 a, 4 q, 0]), t}, 20]], PlotRange -> {{-50, 50}, {-50, 50}, {-10, 110000}}, Axes -> True, AxesLabel -> {x, y, z}, ViewPoint -> Bottom], {c, 0.5, 1}, {d, 0, 1}, {e, 0.5, 1}, {f, 0, 1}, {a, 0, 0.1}, {q, 7, 8}, {t, 0, 100000}]

3、稳定区域模拟，可以求出不同的稳定区域。

Plot[{-MathieuCharacteristicA[0, q], MathieuCharacteristicA[0, q], MathieuCharacteristicB[1, q], -MathieuCharacteristicB[1, q]}, {q, 0, 1}, PlotRange -> {-0.3, 0.3}, Filling -> Axis]

关于这张图我疑惑了好久，小兑说的原理我能听懂。但是看图，这个方程总是通过原点的，如果直线与灰色区域相交的部分是可通过四级杆的离子质荷比区域，先假设7~9吧，那么我要通过四级杆的质荷比为5~7要怎么办呢？直线斜率变小后通过四级杆质荷比好像只能变宽，就是只能让质荷比5~10的通过四级杆~~~疑惑中，不知道哪里理解错误了

小兑(sy2286108) 发表:

当时答得匆忙，后来看了附件研究了下，谱谱统通的解释更加准确~~~~~~·

四极杆是各个杆上都有直流和交流电压，相对的两根施加的电压完全一样，而与其余两根电压幅值相同，而相位相反（差180度），这样四极杆内部就形成了四极场，根据马修方程，不同的电压信号使得不同的离子有不同的a，q参数，这样离子就按a，q参数分布在稳定图上。处于稳定区域的离子就可以在四极场内稳定振荡（xy平面内才是四极场，z向即杆子的延伸方向不是四极场），最终沿z向飞出四极杆到达检测器；处于非稳定区域的离子就会做振幅逐渐增大的非稳振荡，而最终打到杆子上或者飞出四极杆外。四极杆有很多工作模式，每种模式电压信号的施加方式都是不同的，所以电压的扫描可以连续的也可以跳跃的。比如连续时，如图里所示，保持U/V为定值，使得图中直线与稳定区域的的交点比稳定区顶点稍稍低一点，然后扫描射频电压幅值，这样离子就会按分子质量从小到大的顺序通过四极杆到达检测器；跳跃变化（select ion monitoring SIM）时针对某些已知离子，直接让这些离子依次处于顶点附近的稳定区域，然后检测，对于样品量比较少的时候是有益的。
附件我试了，可以下载的~~是不是您的网络环境不太好？

应助工程师

17楼：这张图不是方程的图，而是方程中a和q参数让离子处于稳定区时的值。a和DC电压（U）有关，q和RF（V）电压有关。扫描的时候就是按照图中直线循环往复地扫描，也就是RF/DC不变。每扫一次就出一张MS图。
图中可以看出，斜率变小的话，绝对的灵敏度会增加，但是分辨率会下降。

U/V保持不变，但是如果你不是只允许一种质荷比的离子通过的话，U和V都是在变的。不同的V对应着不同的质荷比

我不晓得，高质量歧视是怎么产生的？