就像我在另外一个帖子里讲的， 还有每周一问里讲的， 束流 可以在顶端或者末端测量， 前者是 UA级的， 后者是NA级的， 叫样本电流。
几乎所有的钨丝 和热场 顶级束流极限都设计在 400UA， 这个几乎是行业规范， 您怎么不知道呢

没错啊，大家都疯了似的购买，显示仪器装备的实力

氧可以来自氧化的样本， 还有氧化的 样本室部件， 一般的 样本室真空度不足以将 气体全部 抽光。
逃逸峰是指的 入射电子 反射到 探测 SI(LI)晶体上， 把 晶体当成了样本。[/quote]

多谢斑竹,原来"逃逸"是指逃逸的电子打在晶体上啊,呵呵,这下明白了

我刚在网上找到了一个关于eds的介绍,个人感觉非常好,与大家分享
x-ray art[/quote]


这篇文献，应该称作文章，很不错，作者的文采一流，浅显易懂的教会你理解EDS

逃逸峰：某文章选段：

当X射线进入 Si(Li)晶体后, 可能使硅原子电离而产生Si 的Kα射线。如果这种Si 的Kα射线是在晶体的边缘产生的, 它就有可能逃逸出来, 而不将其能量交给晶体产生电子-空穴对, 导致所谓逃逸峰的产生。检测到的逃逸峰的能量E逃逸为:

　　E逃逸 =E-1.74(keV)

　　这里E为入射X射线的能量; 1.74 keV为Si的Kα的能量, 即逃逸的能量。在E逃逸处产生的谱峰，就称之为该谱线的逃逸峰。只有能量大于Si的Kα吸收边的X射线谱，才会产生逃逸峰。
　　克服的办法：在定性和定量分析之前, 一定要进行逃逸峰的纠正, 以消除逃逸峰对定量分析工作的影响。■

明白了吗？
再解释一下，样品上产生的X射线射入能谱探测器Si(Li)晶体后，有一小部分X射线可能激发硅原子产生Si 的Kα射线（这就是有时产生Si峰的原因）。这些X射线光子的能量就减少了一个Si峰的能量。如果这些光子的能量再使晶体产生电子-空穴对, 则这时产生的信号峰即为逃逸峰。因此逃逸峰的能量为：

　　E逃逸 =E-1.74(keV)

冷场发射扫描电镜的最大探针电流（到达样品上的电流）大概在几nA量级，用冷场发射电镜做能谱分析探针电流是足够了。但有人担心其束流稳定度对分析精度有影响，特别是在长时间采集时。所说的几十微安的电流应该是发射电流（从灯丝出来的电流）吧，一般电镜（包括冷热场和钨灯丝）发射电流在几十到几百微安范围。

发射流一般在几十(冷场)到几百(W,热场)微安,W丝的大多在一百微安左右工作,而和能谱波谱分析有关的并不是这一个,应该是探针束流(probe current)才对,现在的冷场应该在pA级才对,0.1~3pA左右,而W丝的最大一款SEM设备应该是在2微安,这还是在极端工作条件下(在此工作条件下W丝寿命约为2~4小时)才能达到的,而热场SEM应该是在20nA左右,所以发射流有多少大并没有太大的价值,只有probe current才是应该关心的,发射流大不等于能用在样品上的大,发射流大也不等于SEM图像的质量足够好才对.

这个是正解，谢谢！冷场电镜做能谱分析时的确会信号偏弱，现在的解决方法是增大了晶体的有效探测面积，也就是从10平方毫米增加到30平方毫米，这样信号强度在同样条件下可以增大好几倍。

这个解释说明逃逸峰是出现在比正常峰位偏左1.74eV的峰位处, 而1.74eV只是Si Ka的特征能量，所以不能说逃逸峰就一定出现在1.74eV处，因此也不能说显示为SiKa的峰就是逃逸峰。
Is That Right？
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请看我的Blog里面对冷场发射电镜做能谱分析的介绍
http://hi.baidu.com/taoli%5F/blog/item/0ff7ccb158f2cd550823026f.html