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xinhuolin
第23楼2011/01/05
做HAADF-STEM和EELS, 我的师伯C. H. Chen现在在台湾国立大学，他手下的人也都做得非常好。
另外，我们的200kV Tecnai F20是没有corrector的，就是200kV的FEG S/TEM。得到HAADF原子像非常容易，主要是因为我们的room environment好，另外我们的F20的scan system是我们自己改过的，scan noise非常小，基本可以和Titan比。当年FEI就是基于我们的design重新设计的Titan。在没有改过scan的electronics之前，FEI在STEM上远远落后于JEOL。
制样（制备试片）我们绝大多数用multiprep polishing，小部分不能研磨的样品用FIB，我们的试片可以达到少于2nm的amorphous damage layer。
2-D atomic resolution EELS mapping现在可以像我们一样出结果的组只有另外3个（bleloch, pennycook, boton），我们的Nion UltraSTEM是专门为了EELS优化过的，而且这是一台dedicated STEM(就是不能做TEM)。
我师姐要离开一年去德国学cryo-EM,然后回到Cornell的应用物理系做教授。sendtony6(sendtony6) 发表:~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
你們有Cs corrector?~那有這樣的結果確實不意外~
是Tecnai內建Cs那一台嗎?
對岸的研究投資真是大手筆~對於沒有Cs corrector的TEM要能做出HR-HADDF難度很高~
FEI的機台果然是強大~
不過你們的試片作的相當不錯~
你們試片是FIB切的?還是手磨?
SR-EELS其實不會很難得到~難的是如何解釋以及你們的data base的建立~
我對於整個EELS的背景知識還相當薄弱~
順道一問~你學姐是要去康乃爾的地質系嗎?
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xinhuolin
第24楼2011/01/05
是的，如果charging，会deposit carbon的。最简单的方法就是用FIB制备，charging会减轻很多。当然有些样品非常容易damage，就必须用polishing，然后必须deposit carbon。
给你看一些我拍的图 http://xinhuolin.web.officelive.com/ImageGallery.aspx， 你有问题就问我吧，hx35@cornell.edu。sendtony6(sendtony6) 发表:再提一個問題~
你們在做SR-EELS時~如何知道slit與aperture的位置確實是在
on focus上?
以及如果你們試片會累積電荷~你們會鍍碳?
最後~如果可以的話~是否能給我你學姐的eamil!~方便交流
应助达人