没有错，达到了百万级

当然AOTF也有缺陷，比如光谱的范围就比较窄，在一块晶体内，很难做到近红外的全谱

新年马上就到了，祝福大家新年快乐

请问AOTF-NIR的信噪比的测试条件是什么? 要达到百万级的信噪比首先A/D转换需要20位以上.其次是检测器本身的噪声与信号的动态范围相比要小. 如果信号的动态范围是5V,则检测器本身的噪声必须小于5微伏.以近红外常用的InGaAs检测器为例,其噪声指标应在几十到几百微伏范围.另外还要加上光电转换的随机噪声和其它控制电路上的噪声.这还不考虑温度变化引起的元器件的噪声. 仅以电阻为例,其温度系数一般有几十到几百PPM. 换句话说,仪器温度变化一度,信号的变化可能达几十到几百微伏.一般的认为是近红外的检测精度为0.1%.作为仪器,精度高一个数量级应该可以.过高的精度指标是over kill. 不仅对检测没有太大的帮助, 还会增加仪器的成本. 当然对噪声的评价最好的办法是测仪器的基线平直度.即在输入光信号接近满度时取两幅谱图并相减,然后取结果信号的最大变化区间为仪器的噪声. 如果可能的话, 可否请各位有仪器的同行测一下,并将结果贴在此做一比较.当然采样时间也请标出,或者取一统一时间, 比如一秒钟.相信这样的比较会有意义. 否则单讲信噪比而不提检测条件,很容易造成误导.

说的好

所以说现在比较好的FT-NIR的信噪比也只能达到100000，五个零。

近红外的检测精度要达到0.1％，仪器没有50000以上的信噪比是很难保证的。

InGaAs检测器的噪声指标可以远低于一个微伏. 电阻的温度系数也可以小于PPM级.

但是仪器的信噪比要达到百万以上，确实很难。

但是仪器的信噪比要达到百万以上，确实很难。