最好把“膜去溶”干气溶胶进样 加进来讨论，这样更有利于判断。

根据我的经验，普通进样(1-1.5 ml/min) 和膜去溶(~50 ul/min) 分别吸入10 ppb U 调谐液，膜去溶的信号可以比普通进样高10-20倍，但是它的单位时间进样量只有普通进样的1/20~1/30。取低值来计算，膜去溶的相对灵敏度是普通进样的200倍(10×20)。

我用“反证法”来论证。假设干、湿气溶胶在ICP炬焰中的电离效率是一样的，如果膜去溶送入炬管的物质被100%电离，那么普通进样送入炬管的物质，率最多只有 100% ÷ 200=0.5% 被电离。但诸多研究证实：普通进样的电离率应该在1%以上。也就是说，进入等离子体的气溶胶，如果存在大量的溶剂水，会降低电离效率 50%以上。

这是可以理解的，进入Plasma的物质 被原子化之后，大量存在的O H会使样品趋于分散，部分原子进入低能量区、进而降低了离子化效率。根据膜去溶进样得到的相对灵敏度和激光进样的类似性，可以说明干气溶胶条件的电离率要高很多。当然，lz的假设中忽略了激光剥蚀的物质在传输过程中的损失。如果能够做在线溶液加入比较，那么很多假设就有数据佐证了。

Using this equation, Houk (1986) calculated the degree of ionization of elements for a plasma temperature of 7500 K and an electron density of 10E15 cm-3



各原子的离子化效率


第二个原因是激光剥蚀池使用He做载气，He在等离子焰中能增加灵敏度。
在原子的离子化过程中，He增大了原子化效率么？

刚才没有注意等离子体膨胀发生的部位（以前在这里理解也有欠缺），但发生在样品锥后的等离子体膨胀也会对灵敏度产生影响啊。

He气的消耗是多少？

深受启发，谢谢

我认为 ICP炬焰的温度分布，会随着进入ICP的负载量(Load mass) 的多寡，而发生变化，进而影响待测原子的电离效率。而handc 认为 ICP炬焰的温度分布比较稳定，是大量的基体原子(比如溶剂H O) 让待测原子趋于分散。部分待测原子进入炬焰低温区，因而这部分原子的电离效率很低。虽然我和 handc 有一些认识差距，但我们都认为：ICP炬焰温度决定了电离效率。

不同类型的激光器，剥蚀池载气 He流速差别很大。
New Wave 213nm Nd:YAG 五倍频激光器，He流速要 0.8-1.0L/min。
Coherent 193nm ArF 准分子激光器，He流速要 0.3-0.4L/min。
类似于 ICP-MS 雾化气Ar流速，剥蚀池载气He流速 也要每天调节、优化。

内容确实不错

应助达人

楼主确实太强大了

难得这样的大牛，在这边做无私奉献啊！我熟悉的一些牛人本没有在这边讨论、研究！

又见高手讨论，受益匪浅。

弱弱的问一下，“膜去溶”是什么装置啊？像氢化物发送器那样有膜过滤那种吗？是不是雾化效率特别高的？能用在ICP光谱上吗？

【Aridus II膜去溶雾化系统】

http://www.labtechgroup.com/cpxxend.php?auto_id=355&auto_code=10071005

差不多要18-20万人民币。别说ICP-OES了，四极杆ICP-MS都不会配它，只有高分辨ICP-MS才会配。