别听版主乱捧啊，我在这里就是经常来混个脸熟罢了。很多东西都是在这里看帖学到的，俺知道的那点皮毛，在这里都是最基础的。

大阪到我这，必须坐飞机的说，有空在这里发帖，高手如云啊，比找我强多了。

俺不懂啊，大概是衍射衬度吧，版主们上啊，我去搬个板凳.........

ontheroad(ontheroad) 发表:下面就是我最近测的一张图，我用等离子将碳化硅的表面氧化了。
所以最下面有二氧化硅，但是二氧化硅跟碳化硅的界面处有一黑层，这个怎么解释比较好呢？
是由于试样厚度不均匀？变质层Si-C-O？
请各位前辈指点啊？
初学TEM，什么都不懂，让各位前辈了。。。。。。

谢老师总是这么谦虚，所谓“行走江湖，以德服人”，真是我辈楷模。
那些漂浮在界面上的乌云看起来确实象衍射衬度造成的结果，究竟是不是和成分有关就不好说了。

谢老师，你的意思是不是说中间那一层由于结晶状况改变了，从而产生的衍射衬度吗？
有没有可能是氧原子渗入中间那一层，部分取代C原子，形成Si-C-O，最后得到上面这样的图？

版主，您终于现身了。
我以前用XPS测过氧化后的碳化硅表面的成分，得到的结果是有SiO2，SiC也有少量的Si-C-O。
您觉得用TEM的话，怎么才能确定中间的那一黑层是什么成分啊？
用EDS吗？

EDS分析轻元素有点不太靠谱，不过你可以试试EDS线扫，看看是不是有明显的成分波动。另一个路子是使用和EELS有关的方法，过滤像，线扫都可以。过滤像分析可能会简单一点。

我觉得EELS效果会好点，EDS对于轻元素的确挺不靠谱，即使线扫，这么小的区域我感觉也不一定能有明显的区别

多谢前辈指点，最近用EELS试试看。

.......EELS都有，太有福气了。