个人觉得第三张图的纵坐标采用二次电子产率更符合实际。
理由是如果是“二次电子总的产额”那么图像应该在这个电压范围信噪比最好，但是实际上图像信噪比是加速电压越高越强。这是因为加速电压的提高会使得电子束的束流密度加大会使得总二次电子产额增加，但是单个电子的二次电子产额却不一定高。
单个入射电子的二次电子产额应该就叫二次电子产率。二次电子产率高才会对样品荷电产生抑制作用

受教了，好资料，谢谢楼主，收藏一下

没错

谢谢上面精彩的探讨，让我对扫描电镜有了更深入的认识，这个感谢是发自肺腑的哟。我有个困惑不知能否解答一下，现在我们研究所用的扫描电镜都是场发射电镜，相对较新，比如FEI 的430， 450 以及蔡司的supra 55, 35. 我们使用时加速电压通常是20 kV, 这让我觉得20kV才应该是最佳值，但是今天我试了一下5kV和10kV, 发现我可以照清楚我样品上的纳米压痕了，以前我怎么调工作距离，像散，光阑等都不行，这让我一直以为是自己样品导电性差或者压痕太浅，边界不明锐造成的。当然这个现象还需要我重复，我想问的是，我们以前用的20kV都用错了吗？