CID是通过改变SiO2薄膜上的电极电压使电荷在两个电极下的势阱内发生转移来实现数据读出的，它是一种非破坏性读出过程。

　　我记得活土匪以前好象发过一个有关这一类检测器的帖子，在辛仁轩老师编著的《等离子体发射光谱分析》一书中有专门一章介绍这方面的内容，另外在一些其他地方应该也不难找到有关这方面的知识材料，但一般都不会是特别详细和具体。我个人认为因为现在这种技术还处在不断改进和完善的过程中，其中一些关键技术可能还处在保密阶段，所以目前人们对这种检测器的构造和原理只是一个大概的了解，认识得还并不是完全清楚，因为如果说CCD和CID在基质上基本相似只是CID在SiO2薄膜上比CCD多了一个用于读出信号的电极的话，那它们在一些检测性能上应该非常接近，至少从理论上讲是这样，但实际上CID的量子效率明显不如CCD，并且其响应存在短波和长波差异明显的现象，CCD虽然也有这种情况，但好象不如CID显著。所以要想更多地了解CCD和CID的检测过程和原理，我觉得还需要更多的原始文献和资料。CCD和CID的主要区别就是读出方式，前者是通过电荷转移过程来进行读出的，而后者采用的则是随机的读取方式。

听说有这方面的文献,斑竹能否提供一下啊

近期比较新的关于这方面的文献资料需要花些时间和精力去查。

先谢谢了!

我是新手，请问溢出和饱和有没有实质上的区别？

CCD是通过背照式和排渠方式防止溢处的。

这个问题不曾多想,溢出了就稀释吧.PE的衰减功能好象能克服一点溢出吧.

　　背照式检测主要是为了提高量子化效率，不是解决溢出问题的。

工业用半导体检测器和相机的CC有很大不同.这也是相机的相素已经都达到千万级别,而工业用的目前最大为1百万的原因.而且价格也相当昂贵