你要做的步驟有2個~

首先 先去模擬出HR-image 確定那一個是原子位置

接著再去量影像上的晶格長度(compress/tensle)

或者

你根本用錯方法了~做應力量測應該用XRD會比較適合

GPA可以去找以前马普所的C. Koch写的免费plugin

感谢您的指点，我已查过文献，可以用HRTEM来研究strain field的（应该是应变场）

谢谢，请问是可以直接用在digital micrograph软件上的么。

现在已经是ulm 教授了。

感谢提醒！

请问你的应力场的问题解决了吗？我也是做这方面的 希望能够多多交流 QQ 524503787

分析是可以做到的。

但是要注意两个问题：
1. CCD 上投影固有的畸变。 一般先用完整晶体（无畸变，无卷边，厚度较均匀），例如 Si [110] HREM 图像，对该图像进行应变分析。
理论上，各个像素之间应该无应变/位移。所得到的应变/位移应由CCD投影固有畸变产生。由此可得一个应变分布图。 下一步在同样倍数下，拍摄所研究对象的HREM图像，有参考区域得到位移/应变图，同时减去CCD投影产生的位移/畸变图。 总之，需要对ccd投影畸变进行校正。

2. 不论是用正空间 （PPA）或者是倒空间（GPA)所得到的应变图，都是所分析区域对参考区域的变化。 若分析，参考区域的成分及投影方向已知，则二者之间，在特定方向的固有应变可以计算。对参考区域，故有应变为0。 对所得的应变图，每一像素应减去其对参考区域的固有应变。如此可得对每一区域的真实材料应变。