Fabrication of the device consisted of three mask levels.
设备的制造由三个掩模序组成。（mask level为专业名词，网上的解释有掩模序、光罩层等，楼主自己看哪个解释确切些。）

Fist a LPCVD Si3N4 film was deposited to create an Insolating barrier from the silicon substrate.
首先在硅衬底上沉积LPCVD Si3N4膜，以形成阻断层。（silicon substrate：专业名词“硅衬底”；Insolating barrier：不知道，据我猜测是防止腐蚀的阻断层，不知道专业的表达是什么。）

Then 3μm of PECVD oxide was deposited And patterned. This layer is used as the sacrificial layer.
然后沉积3μm厚的PECVD氧化物，铸模，作为牺牲层。（patter是铸模的意思，具体怎么翻译才是专业的表达方式还得楼主自己考虑；sacrificial layer：专业名词“牺牲层”）

Two microns of LPCVD polysilicon was then deposited and doped using N-type spin-on-glass.
用N-型旋涂玻璃沉积两微米的LPCVD多晶硅。（polysilicon：多晶硅；spin-on-glass：专业名词“旋涂玻璃”。）

Aluminum was deposited on top of the polysilicon and patterned with the heater and electrode structures.
在多晶硅顶部沉积铝，用加热器和电极结构铸模。（同上，pattern的翻译不是很确定。）

The aluminum was used as a hard mask to etch the polysilicon in RIE plasma system.
在活性离子蚀刻浆系统中，用铝作为硬质掩模蚀刻多晶硅。（RIE：Reactive Ion Etch活性离子蚀刻；hard mask：硬质掩模。由此看来第一句里的mask level应解释为掩模序。）

The remaining aluminum was then pattern and etch to from contacts on the polysilicon heaters and electrodes.
将剩余的铝铸模，蚀刻，以将多晶硅与加热器和电极连接。（from contacts写错了吧，应该是form contacts吧。）

Finally the structures were released in a 49%HF etch.
最后在49％HF中腐蚀形成这些结构。

Because the heaters were 3mm long, they often stuck to the surface after release.
由于加热器长达3mm，在结构形成后常黏附于表面。（stuck：stick的被动式。）

This was due to capillary forces from the rinse after the release.
这是结构形成后的毛细作用造成的。（capillary force：毛细作用）

To alleviate this problem ,a DI water/ IPA/ DI wafer / IPA rinse was incorporated followed by a 200℃ bake on a hot plate to suspend the structures.
为避免该问题出现，应用DI水/IPA/DI晶片/IPA定影，然后在热板上于200℃烘烤以形成悬式结构。（rinse：通常解释为漂洗，但我在网上查到一篇文献“应用SU-8 及牺牲层技术制作微流道系统制程研究”，其中将rinse解释为定影，感觉这个解释比较专业，可惜网络不好文献打不开。suspend the structures：将结构悬起，意译为形成悬式结构。）

又搜到一篇文献给楼主参考：RF MEMS的关键技术与器件
http://www.chinaemnet.com/ele/el060941.asp
以下是其中一段话：
表面加工技术又叫表面牺牲层腐蚀技术，是把沉积于硅晶体的表面膜制作加工成MEMS的"机械"部分，然后使其局部与硅体部分分离，呈现可运动的机构。分离主要依靠牺牲层技术。主要由沉积和刻蚀两种工艺所组成。沉积的薄膜包括机构层和牺牲层两类，通常是将按一定形状和顺序淀积的多层薄膜中的一种有选择性地腐蚀掉，应用这种技术可制作各种尺寸极小的悬式机构，如微型悬臂、微型桥和微型腔体等。其淀积的工艺主要应用蒸发、溅射和电镀技术。适用的衬底材料包括：硅、砷化镓、AI2O3、石英等。该种工艺技术与常规IC工艺兼容，大量应用了标准的IC工艺的薄膜技术、图形制作技术，而且微机械元件还可以很方便地制作在已经完成的电路、且为微型元件留下空间的芯片上而形成一个整体，如驱动电路等，直接形成具有一定功能的传感器。分离主要依靠牺牲层技术。
表面微机械加工的主要优点就是与常规IC工艺的兼容性。另一个优点是器件占用的硅片面积比传统各向导性体硅腐蚀加工的器件的尺寸小很多。

非常感谢斑竹，正如斑竹所说我上次将form contacts 错写成from contacts
，在此更正。

试着翻译如下：
器件加工需要三次掩膜：
首先LPCVD（低压化学气相沉积）一层氮化硅薄膜，形成绝缘层。然后用PECVD（等离子增强化学气相沉积）淀积一层氧化层，并进行图形化。该层作为牺牲层（制作MEMS器件可动部件的一种技术）。
用LPCVD淀积一层2um的多晶硅，然后进行N型掺杂（？spin-on-glass?）。在多晶硅层上淀积铝层，进行图形化，形成加热器和电极结构。接着以铝层作为掩膜，用反应离子刻蚀（RIE)加工多晶硅，（形成加热器和电极结构）。剩余的铝层再次图形化和刻蚀，形成多晶硅加热器和淀积的触点。最后整个机构在49％的氢氟酸中释放。
由于加热器长度达到3mm，在释放后会发生粘连现象。这是由于释放后清洗时液体产生的毛细现象造成的。为了防止这个问题，在用去离子水（DI water）IPA/ DI wafer / IPA清洗完成后，再用200C的加热盘进行烘焙，以防止加热器粘连在衬底上。