哈哈，你对GPA 和HRSTEM 的理解很新颖啊!













HREM里的GPA 用的就是Koch 的改进版，Koch本人似乎早就没兴趣了。很多人也都不感兴趣了！

对于前面大家讨论时候提到的koch，Hytch等人，他们是电子显微镜方法上面的专家，肯定是不会对GPA这么个能力有限的分析技术继续感兴趣的，不然他们也拿不到更进一步的funding。他们都转向其他方面去了。
但是对于材料学家，这个分析方法还是很有用的。只要正确的理解并合理的使用了GPA的结果，对于材料问题的理解就要高一个层次。比如Hytch 03年nature上面那篇文章（其实关键的过程和结果他97年在scanning microscopy上就发表过），分析了一张82年拍摄的Si的刃位错照片。从材料角度看，就是从实验上证实了弹性理论对于刃位错的描述。然而螺位错及其核结构至今未解。
你这里引用的这个例子，我没有看过，但是出发点应该是差不多的吧。
回到上面我说的HRSTEM 做GPA分析，好处也就落在这个原子位置和白点位置一一对应。
但是现在也有拿高分辨欠焦系列像重构出射波然后在做GPA的，据说重构出来的出射波分辨率可以达到显微镜的信息极限。
我们现在拿到的Koch这个GPA的DM插件包但是也是跟合作方为了做这个重构的复数出射波而开发的。

STEM像模拟现在好多人在搞啊，去年开会Stadelmann就说新版的JEMS不久以后就要加入STEM的功能模块了。Rosenauer那边的SICSTEM结果很牛逼，但是计算机的要求更牛逼，据说算一张图一个cluster工作组要算大半天！倒是意大利人的STEM CELL 我觉得还不错的样子，那时候来我们这边演示了一把，速度和精度方面觉得都还不错。具体哪个好我就不得而知了，无奈我们实验室的STEM至今没有能Routinely work，除了老板，吾等至今未能幸而玩之。

作为一个在我们这种设备条件有限实验室的苦逼PhD，我只能拿老板的话自我安慰：内功修炼到家了，柳条也能在你手中叫板屠龙宝刀！

perpetualcat68(perpetualcat68) 发表:哈哈，你对GPA 和HRSTEM 的理解很新颖啊!






HREM里的GPA 用的就是Koch 的改进版，Koch本人似乎早就没兴趣了。很多人也都不感兴趣了！

嗯，那条件也确实苦了点，无米之炊肯定不行，不动手是没法理解很多东西的。

Rosenauer 的STEMsim运行要求很高，动辄七，八个星期，stem cell 的模拟只是像形游戏，你用过就知道了。

透射电镜人一沉就除了电镜室就是计算机了, 心浮气燥，不踏实就更不行了，理解的东西到处是明显的基础漏洞。

Christian Dwyer 用GPU 做STEM simulation，速度还不错。

不知兄台是否也做过关于GaxAl(1-x)N/GaN的工作，小弟近期从事这方面工作，不知您老师是哪位大大，可否告知，小弟正是看了你提到的那篇文献才对GPA感兴趣的，正如上面所说，这个对于搞材料的人来说，作用很大。对于这种涉及到Al，In生长的氮化物，Al和In的偏析对应力，缺陷的影响是很值得研究的，特别是涉及到纳米尺度，例如量子阱和超晶格，影响就更大。所以说想弄清楚，这种应力的分布不均匀对材料的性能产生影响，而且很大程度上是由元素分布不均匀导致。通过应力分析元素分布，从而指导生长是我们目的所在。虽然通过STEM的元素mapping可以做到这一点，但是对于没有球差校正的普通高分辨而言，3nm以内的mapping很容易受样品漂移的影响分辨不出来，所以通过普通高分辨图片进行GPA处理来分析应力还是很有帮助的。
刚刚开始做这方面工作，真的碰到搞GaxAl(1-x)N/GaN工作的同行，希望能够互相交流。能否将研究方向讲一讲，不方便的话，线下电邮交流也可，hh_sun@live.cn, 在读博士一枚。

perpetualcat68(perpetualcat68) 发表:
这是用stem cell 的GPA, 比较花妙。传上stem cell, 对照网页所述就可做很多分析，但他的内容不让人踏实。

这行就这样，编程好的张牙舞爪，别人还不敢响，文章来了，你还不得不发。

俺的老师就信他写的DALI，对GaxAl(1-x)N/GaN之类很管用，但到了四相的就不行了。一切都在探索啊。

你可以查阅A.Rosenauer的文章。他的DALI对GaxIn(1-x)As/GaAs, GaxAl(1-x)N/GaN等类似结构做分析非常有效。

不过他的程序似除了合作方并不对外公开。但在他的书里有详细的描述。

中心点就是有明确的reference,另外Vegrad's law 对三相构成很好地描述了lattice parameter 和

chemical component的关联，这使元素分布有了推算依据。

缺点就是对四相以上，比如ZnMgSSe/CdZnMgSSe这类VCSEL, GaAs-substrate失去了做参照的作用，

没有合适的reference，另外也没有lattice parameter 和元素分布的对应关系。

这就是文献里几乎是三相分析的原因。

这要求在HASTEM里找些办法。四相的有了些经验公式，但有限制条件。

我弄的是四/五相的，他的DALI弄了几遍后就了无兴趣了，对我的分析没用，他也无奈我的不感冒。

三相的在这里已非常成型了。电镜组应该有几个编程的，原理给他们讲清楚了，他们就能弄出来。

等我的红薯卖好了就请编程大师为座上客。

我感兴趣的是对Vegrad's law 的修正，拓展。尽管现在有了不少改进的计算，总象GPA一样不够完美。

现在我只是初步完成了VCSEL样品纳米层厚度和waviness通过HASTEM的检测。这些数据反映出MBE制备组

预想的要求是否达到，对调整MBE参数很重要。

其他的，制备样品的更关心在微米范围的平均内容，

他们用用XRD, Microphotoluminescence 等就行了。对减少MBE 过程中的strain他们还是有一套的，

当然做个CBED 看看还是有必要的。

我缺少很多基础和经验啊，好的是没条条框框，敢乱想，虽常被批，但皮厚，也解决了他们一直不尽人意的

部分问题，久之，老师就随便了。

多多指教。我只是个A.Rosenauer的毕业没多久的硕士，材料学选了物理方向，就被他弄到他那了，

本想做Microphotoluminescence的，不过人很和善。很想和同好们多交流，谦虚踏实诚恳地不浮夸地交流。

现在实验条件都很好了，就是老要用人家的程序很汗颜，而他们是尽可能地自己写程序，有现成的也不怎么碰。

文献找到。

没有看到你的帖子最后又编辑了，你推荐的文章我都找到了，也大致看了下，GPA这个东西，作为工具主要看理解程度，具体问题具体分析，想弄好还得对材料体系了解的够深入才行，否则也就是看着图片漂亮些。不过分析应力倒是很给力。

基础很关键，玻璃，陶瓷，金属，高分子，半导体，纳米...

各基本检测手段都要会。DSC，BET,XRD,RHEED,LEED,XRF,EMA,PL,ICP-OES,

FTIR,STM,SEM,TEM...

各种分析都有其对应的范围，有些理论的根基做多了实验还会对它产生疑虑。

尤其在纳米范围。搞材料的往往是什么都知道点，又什么都深刻不了，需要不同专业组的协同。

我做高分子材料的反应阶数分析时，指导我的就是个数学博士，他理顺了数学关联，我就将参数限制在

合理的化学意义范围里去确认。对一个系列用同一模式，得经过很长时间的确认，结构和反应条件，

合成后的性能，对制造起决定作用。做纳米陶瓷时，会认识到这个方向的优势。做玻璃材料时又对这行的五体投地。

恨不能有几把刷子，能有把秃的用用就不错了。

TEM 也不是窥一斑而知全豹，很多时候就是一个斑点，缺点和优点都要慎重不被放大。有些解释也牵强。

很多时候，对一个基本的分析都无从着手，就更得下功夫了。

呵呵，现在不佩服多尔全，佩服精而专的人，老设备旧仪器在牛人手里也是高水平。