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  • 光哥

    第21楼2012/07/18

    应助工程师

    这个~~~如果是在dilution gas气路中通氧，Si和O及H结合生成SiOH，但是还是要通过ICP的高温吧？那不是又分解掉了？
    LS是否打错了？应该是在ORS中通氧的？

    timstoICPMS(timstoICPMS) 发表:Si Ar 相差一个质荷比？您可以请辞了。
    SiO产率并不高，SiOH产率最高。因此可以测 28Si16O1H 45amu质量峰。
    PE DRC系列可在 动态反应池中通氧；Agilent 7700系列可在稀释气中通氧。

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  • m3088218

    第22楼2023/07/04

    反应池中通氧

    光哥(xsh1234567) 发表:这个~~~如果是在dilution gas气路中通氧，Si和O及H结合生成SiOH，但是还是要通过ICP的高温吧？那不是又分解掉了？
    LS是否打错了？应该是在ORS中通氧的？

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  • Ins_7511474f

    第23楼2023/07/16

    硅分子量28 29 30，哪来40哦

    xujianguang(xujianguang) 发表:1.硅是非重金属 一般比较难测 不稳定2. 硅的分子量是40 存在氩气的严重干扰 因此不用ICPMS测定

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  • Ins_7511474f

    第24楼2023/07/16

    用硝酸配Si单标曲线，要现配现用，会变的很快，隔天就不一样了，我有过经验。MQ直接配会好一些？

    光哥(xsh1234567) 发表:今天测了一个，基本是2%高纯硝酸中的Si，曲线是20、50、100ppt，线性还可以。H2模式下，测28硅还真心不受Ar的干扰

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  • 光哥

    第25楼2023/07/18

    应助工程师

    这个浓度的Si都是现配现用的了，用完了剩余的就不要了

    Ins_7511474f(Ins_7511474f) 发表:用硝酸配Si单标曲线，要现配现用，会变的很快，隔天就不一样了，我有过经验。MQ直接配会好一些？

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  • Insm_4d39d866

    第26楼2023/09/18

    水基质测Si还算简单，首先Si的主要干扰不是Ar，其次，ICPMS也不是只能测金属，非金属也可以测，主要看你仪器的配置。要是给你单四极杆去测有机溶剂中的Si、B才具有挑战性，有机溶剂需要氩氧混合气，样品离子化后含有大量的CO干扰Si、C干扰邻位的B，背景高，如果不是串联质谱，很难做的低50ppt以下

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  • 曾SY

    第27楼2023/12/27

    没说使用的仪器型号都是耍流氓，假如我A家8900三重四极杆随便测。楼主万一是7900以下的单杆呢

    光哥(xsh1234567) 发表:今天测了一个，基本是2%高纯硝酸中的Si，曲线是20、50、100ppt，线性还可以。H2模式下，测28
    硅还真心不受Ar的干扰

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  • 光哥

    第28楼2023/12/28

    应助工程师

    7700s，不过确实没涉及到有机溶剂。当时做的是多晶硅，剩余的上机溶液是0.01%硫酸

    曾SY(Insm_4d39d866) 发表: 没说使用的仪器型号都是耍流氓，假如我A家8900三重四极杆随便测。楼主万一是7900以下的单杆呢

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