+关注 私聊

  • fengyonghe

    第31楼2013/04/22



    这张图是1.50KV减速，应该可以在这个加速电压下继续调整stage bias 达到更好的效果：



    不一定非要用500v、200V加速电压。

0
    +关注 私聊

  • asahi42

    第32楼2013/04/22

    那张图主要说明的问题是1.5kV的着陆电压下有非常严重的样品变形，光靠调整Bias也许能够增加信噪比，但是却不能保护样品。

    fengyonghe(fengyonghe) 发表:这张图是1.50KV减速，应该可以在这个加速电压下继续调整stage bias 达到更好的效果：

    不一定非要用500v、200V加速电压。

0
    +关注 私聊

  • fengyonghe

    第33楼2013/04/22

    多谢，知道了。

0
    +关注 私聊

  • asahi42

    第34楼2013/04/23

    fengyonghe(fengyonghe) 发表:多谢，知道了。

0
    +关注 私聊

  • scienceman

    第35楼2013/04/25

    没有想到！

    多谢了！那天试试看！

0
    +关注 私聊

  • zhengyihao

    第36楼2013/04/26

    谢谢楼主，给俺们提供了很好的例子

0
    +关注 私聊

  • 天黑请闭眼

    第37楼2013/04/26

    如果是氧化硅薄膜沉积在Si片上，该用什么参数比较好呢？实在太平，那么最好考虑倾转样品？

    asahi42(asahi42) 发表:

0
    +关注 私聊

  • fengyonghe

    第38楼2013/04/26

    参考林老师的擂台。

    天黑请闭眼(shxie) 发表:如果是氧化硅薄膜沉积在Si片上，该用什么参数比较好呢？实在太平，那么最好考虑倾转样品？

0
    +关注 私聊

  • 天黑请闭眼

    第39楼2013/04/27

    参考林老师的擂台。[/quote]

    thanks. 不过林老师的片子俺这个新手可操作性不大啊，asahi的仪器和俺一样，条件还好掌控一点......

    fengyonghe(fengyonghe) 发表:如果是氧化硅薄膜沉积在Si片上，该用什么参数比较好呢？实在太平，那么最好考虑倾转样品？

0
    +关注 私聊

  • linzq

    第40楼2013/04/27

    thanks. 不过林老师的片子俺这个新手可操作性不大啊，asahi的仪器和俺一样，条件还好掌控一点......[/quote]

    有CBS吗？有的话大工作距离加点倾转，再试试。CBS是背散射探头，受荷电影响小。

    单晶表面，用下探头可以看出凹凸不平的景象。

    不过4800的下探头在侧面，所以凹凸表现会好一些，你的样品要出来倾斜是需要的，等于是探头装在侧面。

    天黑请闭眼(shxie) 发表:参考林老师的擂台。

0
查看更多