咱可不当假洋鬼子
至于名称的话，叫污染或者残留效应更符合中国人的习惯，也便于理解
我在直读光谱的中文资料中还没看过这个现象的叫法，只是在老外的应用报告中看到他们叫“Memory effects”，我的英语也不好，用有道词典翻译了下，就成了“记忆效应”了，呵呵

同意几位大神的观点，主要还是残留物质污染的影响，咱还是继续讨论这一现象吧
1、既然是残留的影响，那么主要的残留是在哪里呢？激发电极、火花台上盖板还是积灰杯中呢？
2、铁基的残留效应明显小很多，是因为铁样品的残留量比铝、锌的要少呢？
3、为什么Si的残留效应最明显，是因为Si的熔点较高的原因吗？

应助达人

硅的残留这个我不是太清楚，是不是有其他的原因呢。

chemchenxj(chemchenxj) 发表:咱可不当假洋鬼子
至于名称的话，叫污染或者残留效应更符合中国人的习惯，也便于理解
我在直读光谱的中文资料中还没看过这个现象的叫法，只是在老外的应用报告中看到他们叫“Memory effects”，我的英语也不好，用有道词典翻译了下，就成了“记忆效应”了，呵呵

同意几位大神的观点，主要还是残留物质污染的影响，咱还是继续讨论这一现象吧
1、既然是残留的影响，那么主要的残留是在哪里呢？激发电极、火花台上盖板还是积灰杯中呢？
2、铁基的残留效应明显小很多，是因为铁样品的残留量比铝、锌的要少呢？
3、为什么Si的残留效应最明显，是因为Si的熔点较高的原因吗？

这是光电转换元件本身存在的疲劳现象，你在激发过高含量样品后由于光强都较强，光电元件工作在相对较大电流状态，而紧接着激发低含量样品时，光电元件还没有恢复至基态的伏安特性曲线上，所以才出现这种现象。就如同你刚打过篮球，就让你写字一样手自然回哆嗦，这是因为你此时的心跳还没有恢复是一个道理。所以我们要尽量避免这样先高厚底的操作习惯，要按先低后高的次序安排样品。

那意思是光电倍增管的疲劳了？

不知道光电倍增管的疲劳恢复有没有时间长短限制，如果有的话，也可以根据间隔时间打样子计算出来。

每一个光电倍增管都有一个伏安特性表，装在包装盒子里。

仪器光室里有疲劳灯（也叫试验灯）在仪器开始激发时试验灯就会熄灭，激发结束时会点亮。注意：直读光谱采集的是原子光谱，谱线波长在紫外和部分远紫外波长，而试验灯是可见光的，所含的短波波长的光线是有限的。对CCD相对好一些因为CCD感受的波段比光电管相对较宽。