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  • miaoaiwen

    第11楼2016/07/18

    为何碰到冷的采样锥会让氧化物产率上升？难道是因为碰到采样锥温度下降到恰好能够形成氧化物但该温度却不能将氧化物的键能打开所以氧化物产率上升？不知道我的理解对否？

    阶前尘(jieqian1211) 发表:在一定界限内，等离子体功率越低氧化物产率越高，在接口处因为碰到了“冷”的采样锥会让氧化物产率上升；

    双电荷因为是二次电离造成，所以那些第二电离能低的在功率越高的等离子体中，其产率就越高！

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  • 柳宗元

    第12楼2016/11/30

    我认为主要是根据炬焰的温度有关，温度过高双电核高，温度低氧化物过高，而影响炬焰温度的因素有排风，plasma气，辅助气流量，RFG功率等。

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  • envirend

    第13楼2016/12/07

    应助达人

    同问，不过我感觉您说得有道理。

    miaoaiwen(miaoaiwen) 发表: 为何碰到冷的采样锥会让氧化物产率上升？难道是因为碰到采样锥温度下降到恰好能够形成氧化物但该温度却不能将氧化物的键能打开所以氧化物产率上升？不知道我的理解对否？

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  • m3081384

    第14楼2016/12/08

    有调过瓦里安820，增大角镜直流电压corner lens，二价离子有明显降低

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