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  • fengyonghe

    第21楼2014/05/12

    神回复啊!!!!!!!

    maxwellar(maxwellar) 发表:3333333333333333333333333

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  • sweetapple986

    第22楼2014/05/13

    请教老师:元素激发深度怎么计算或者查阅?

    fengyonghe(fengyonghe) 发表:Al的激发深度:20千伏 4.2μ ,10千伏1.4 μ,区别也比较大

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  • fengyonghe

    第23楼2014/05/13

    所算出的激发深度并非二次电子的产生深度,而是x-射线的产生深度。由于激发深度加大,二次电子的产额大幅下降,二次电子像分辨率降低、噪声增大。二次电子产生深度增加不是主要问题,因为过深的二次电子是不可能逸出表面的。

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  • 驰奔

    第24楼2014/05/13

    其他参数真的不变吗?你没有动不代表不变

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    胖胖熊(v2719209) 发表:为了更直观地观察不同电压下的束流,调节不同加速电压,其他参数不变,拍了下面几组照片:



    亮度是随着加速电压增加而降低的

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  • asahi42

    第25楼2014/05/14

    上面那组图倒真不一定是束流,我觉得倒反映出SE的发射率在超过一个特定值以后,随加速电压的升高而降低的特性。

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  • fengyonghe

    第26楼2014/05/14

    上面那组图样品的原子序数应该是比较低的,对高原子序数的样品经常采用高压。

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  • 胖胖熊

    第27楼2014/05/15

    应该是,刚想通的越高越严重

    原文由asahi42发表: 上面那组图倒真不一定是束流,我觉得倒反映出SE的发射率在超过一个特定值以后,随加速电压的升高而降低的特性。

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  • 胖胖熊

    第28楼2014/05/15

    确实比较低,都是有机物,采用高压是为了降低亮度?

    原文由fengyonghe发表: 上面那组图样品的原子序数应该是比较低的,对高原子序数的样品经常采用高压。

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  • 胖胖熊

    第29楼2014/05/15

    高压样品变形比较少,这是为什么呢,这类样品在15kv变形特别严重

    原文由asahi42发表: 上面那组图倒真不一定是束流,我觉得倒反映出SE的发射率在超过一个特定值以后,随加速电压的升高而降低的特性。

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  • fengyonghe

    第30楼2014/05/15

    这个结论适用于固体块状样品,非薄膜样品。说的是二次电子发射率降低,并非发射量(产额)降低。

    胖胖熊(v2719209) 发表:高压样品变形比较少,这是为什么呢,这类样品在15kv变形特别严重

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