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  • timstoicpms

    第11楼2014/05/29

    (1) Sample Depth 采样深度，相当于 Z轴。热焰采样深度通常是8mm，冷焰采样深度通常是18mm。
    Torch Horizontal / Vertical 炬管水平/竖直位置，相当于 X、Y轴，可在调谐界面手动调节这两个数值，使得信号最大即可。切记：这两个数值是相对值。


    或者（2）点击上图 Auto 图标，让仪器自动优化 质量轴/分辨率、炬管水平/竖直位置。 但别让仪器自动优化 Lens，透镜参数直接参考 http://bbs.instrument.com.cn/shtml/20140525/5324040/ 8楼文档

    豆豆3252(v2868110) 发表:谢谢 ，但是我们公司的设备比较老，没有中文。没有些图。

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  • 豆豆3252

    第12楼2014/05/29

    [div][/div]

    非常感谢，您看在nogas模式下调成这样可以吗？

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  • timstoicpms

    第13楼2014/05/29

    你这是 7700x，不是7700s 啊。因为7700s 是面向半导体高纯测试的型号，基体相对简单，是没有稀释气 dilution gas。

    豆豆3252(v2868110) 发表:非常感谢，您看在nogas模式下调成这样可以吗？

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  • 光哥

    第14楼2014/05/29

    应助工程师

    Cell Entrance的电压和Cell Exit电压相差20V，且Entrance的电压比Exit高，你的参数反过来了。另外，氧化物和双电荷的指数还是略高，至少可以调一个回来。

    豆豆3252(v2868110) 发表:非常感谢，您看在nogas模式下调成这样可以吗？



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  • 光哥

    第15楼2014/05/29

    应助工程师

    呃。。。7700s机型也有这个参数可选的。

    timstoICPMS(timstoICPMS) 发表:你这是 7700x，不是7700s 啊。因为7700s 是面向半导体高纯测试的型号，基体相对简单，是没有稀释气 dilution gas。

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  • 豆豆3252

    第16楼2014/05/29

    是7700S 测试半导体金属痕量的

    timstoICPMS(timstoICPMS) 发表:你这是 7700x，不是7700s 啊。因为7700s 是面向半导体高纯测试的型号，基体相对简单，是没有稀释气 dilution gas。

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  • 豆豆3252

    第17楼2014/05/29

    谢谢，我想问一下，得从哪开始调，我以前没调过，怕调完结果更不好。

    光哥(xsh1234567) 发表:Cell Entrance的电压和Cell Exit电压相差20V，且Entrance的电压比Exit高，你的参数反过来了。另外，氧化物和双电荷的指数还是略高，至少可以调一个回来。

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  • timstoicpms

    第18楼2014/05/29

    赞同光哥！Cell Entrance = -30 V，Cell Exit = -50V，QP Bias = -5V

    调谐经验靠个人摸索积累，特别是在半导体高纯测试。你试着调节 RF Power、采样深度、载气与补偿气流速，以降低氧化物/双电荷产率。

    光哥(xsh1234567) 发表:Cell Entrance的电压和Cell Exit电压相差20V，且Entrance的电压比Exit高，你的参数反过来了。另外，氧化物和双电荷的指数还是略高，至少可以调一个回来。

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  • 豆豆3252

    第19楼2014/05/29

    十分感谢，节日快乐哦！

    timstoICPMS(timstoICPMS) 发表:赞同光哥！Cell Entrance = -30 V，Cell Exit = -50V，QP Bias = -5V

    调谐经验靠个人摸索积累，特别是在半导体高纯测试。你试着调节 RF Power、采样深度、载气与补偿气流速，以降低氧化物/双电荷产率。

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  • 竹新采

    第20楼2014/05/30

    我们每次移动炬管后进行灵敏度调谐时都要微调一下炬管横纵轴啊，会有变化的

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