第15楼2005/01/14
请教jjc406
首先谢谢你的答复,另外请教两个问题。
“低真空這種現象發生的原因可能是二次電子散射造成detector收集到電子束打到樣品台上的二次電子造成的。”
是不是高真空下二次電子就不会散射激发樣品台?
“理論上電子束只能穿透<10nm的薄層﹐無法穿透樣品層而直接打到樣品台上造成其元素激發。”
在INCA 能谱分析仪客户现场培训教材中有“X射线产出于梨形立心体作用体表层1~2微米,作用体积随加速电压和样品密度不同变化”一句话。
另外有10KV、15KV、20KV加速电压下Si和Cu的作用体积示意图,分别显示如下:
Si 10KV 直径2.9微米,深度1.5微米
15KV 直径5.5微米,深度3.0微米
20KV 直径8.6微米,深度4.9微米
Cu 10KV 直径0.1微米,深度0.1微米
15KV 直径0.8微米,深度0.6微米
20KV 直径1.6微米,深度1.1微米
第17楼2005/07/01
我说的模拟小程式就是这个!!!!