应助达人

对于碰撞模式，如何进一步消除干扰～～第一个MS后，只有干扰物和待测物进去碰撞池：干扰目标明确。

检出限更低如何理解～～离子传输路径更长啦。

串接 ICP-MS-MS 的碰撞反应池是以反应为主。

应助工程师

做样速度上应该更慢了，个人理解这还是可以类比ICPOES中的单道扫描和全谱

2000年初，各家四极杆ICPMS普遍配备了碰撞反应池，那时的发展思路是：针对用不同模式测定不同元素，比如Nogas，He，H2，O2，NH3 （暂时不谈半导体应用的冷焰模式）。
从2007到现在，思路变成了“测得快”：在简单He碰撞模式下，同时测试各种元素，甚至包括轻质量元素 Li Be B。
但8800/8900的设计思路可能是“测得准”：用一前一后两个四极杆质量分析器，筛选掉基体，确保池内的反应产物连续、可控。
所以单杆和串接，各有各的应用领域。

单杆质谱的反应模式，即便有带通切割也无法应对未知副反应产物和质量转换时基体的原位质量干扰。MSMS结构，一级质谱筛选使得以上困扰消除，特别是对复杂基体中痕量杂质分析，省去过柱去除基体等前处理，这才是串接设计初衷

能否进一步解释一下，串接无机质谱分析哪些样品有“不可代替”的优势？

已经列了参考文献了，把 2015年那篇 Analytica Chimica Acta 读一读

快节奏浮躁社会，恐怕不会有人真下载下来英文文献详细看的
这么说吧 去年Spectroscopy 杂志上总结了这十几年来ICP-MS领域的重大技术进步，第一个是碰撞反应池毋庸置疑，第二个就是安捷伦的 ICP-MS/MS
别的行业具体不清楚，起码在半导体行业，行业大佬们只认8800，检出限提高了几十到几百倍，前处理也省事了很多，因为不用分离基体了

没搞懂ICPMS搞QQQ有啥用
无机测试定性很方便啊 元素就那些 不像有机那样要很多碎片离子定性
去干扰的话碰撞池足够了吧
要是能搞到测痕量的卤素磷硫之类的还能考虑下

应助工程师

这么说吧，冶金法出来的多晶硅中磷含量高低对后续工序有非常大的影响——这决定着是N型还是P型电池。
而显然，单四极杆的ICPMS测磷并不好做。前处理做得好的话，硅中2~300ppb的磷测得还可以，但是随着工艺的发展，P的含量进一步降低，单四极杆就很难以达到要求了。这时候怎么办？？加钱SIMS？