+关注 私聊

  • 驰奔仪器

    第12楼2018/07/27

    闪烁体材质一般需要10KV高压才会产生足够的信号，
    换句话说，
    直接用闪烁体背散射探测器，能量低于10KeV的BSE探测效率低下。
    如果转化一下，就不存在低能电子探测效率低下问题。

    场发射扫描电镜的加速电压常常设置在3kv以下，很显然最大能量BSE才3kev，如此BSE去直接轰击闪烁体，信号水平应该会很差。
    ------------
    之前就是这个意思，重新说了一遍！

    Insm_5225054a(Insm_5225054a) 发表:确实如此，但是没清楚你说的什么。转不转化与探头有什么关系？难道他们不是闪烁体材质

0
    +关注 私聊

  • Insm_5225054a

    第13楼2018/07/28

    闪烁前面加了10KV高压的啊！蔡司的BSE探头就可以探测2KV的BSE电子！

    驰奔仪器(SH103843) 发表: 闪烁体材质一般需要10KV高压才会产生足够的信号， 换句话说，直接用闪烁体背散射探测器，能量低于10KeV的BSE探测效率低下。如果转化一下，就不存在低能电子探测效率低下问题。场发射扫描电镜的加速电压常常设置在3kv以下，很显然最大能量BSE才3kev，如此BSE去直接轰击闪烁体，信号水平应该会很差。------------之前就是这个意思，重新说了一遍！

0
    +关注 私聊

  • 驰奔仪器

    第14楼2018/07/28

    真不好意思，之前以为楼主知道闪烁体特点， 你不明白说什么情有可原。
    蔡司BSE探头可以探测2Kev 的BSE电子， 不知道是什么类型的探测器！
    如果是环形半导体背散射电子探测器，
    看下图你就知道，Bse探测效率和加速电压关系。
    黑线是不久过去的技术
    蓝线是现在牛逼的技术

    不管蔡司还是啥别的电镜，在基础材料和技术方面应该不会有太大差异。

    半导体固体探测器相对 BSE到SE转化器+闪烁体光电倍增管探测器有两个明显缺陷:
    1、信噪比差
    2、频带宽度差

    Insm_5225054a(Insm_5225054a) 发表:闪烁前面加了10KV高压的啊！蔡司的BSE探头就可以探测2KV的BSE电子！

0
    +关注 私聊

  • Insm_5225054a

    第15楼2018/07/29

    他们的当然也是闪烁体的啊，闪烁体前面都会加高压，因此我觉得背散射电子的探测即使不用转换成SE依然可以用用闪烁体材质的探测，无非就是背散射电子相对于SE很难用电压去吸引

    驰奔仪器(SH103843) 发表: 真不好意思，之前以为楼主知道闪烁体特点， 你不明白说什么情有可原。蔡司BSE探头可以探测2Kev 的BSE电子， 不知道是什么类型的探测器！如果是环形半导体背散射电子探测器，看下图你就知道，Bse探测效率和加速电压关系。黑线是不久过去的技术蓝线是现在牛逼的技术不管蔡司还是啥别的电镜，在基础材料和技术方面应该不会有太大差异。半导体固体探测器相对 BSE到SE转化器+闪烁体光电倍增管探测器有两个明显缺陷:1、信噪比差2、频带宽度差

0
    +关注 私聊

  • 驰奔仪器

    第16楼2018/07/29

    一般闪烁体BSE探测器表面都不加高压！
    你这个需要看清楚或者问清楚再说，
    把你的资料贴上来，不要臆想!

    Insm_5225054a(Insm_5225054a) 发表:他们的当然也是闪烁体的啊，闪烁体前面都会加高压，因此我觉得背散射电子的探测即使不用转换成SE依然可以用用闪烁体材质的探测，无非就是背散射电子相对于SE很难用电压去吸引

0
    +关注 私聊

  • fengyonghe

    第17楼2018/07/29

    任何能量的背散射电子都不需要用高压吸引，得到的仅仅是背散射图像，你没法添加二次电子像，人家的设计就可以做到，还可以控制二次电子的量。所以你的想法仅仅是一个背散射探测器而已。还不如传统的背散射探测器可以做到A+B/A-B 。

    Insm_5225054a(Insm_5225054a) 发表:他们的当然也是闪烁体的啊，闪烁体前面都会加高压，因此我觉得背散射电子的探测即使不用转换成SE依然可以用用闪烁体材质的探测，无非就是背散射电子相对于SE很难用电压去吸引

0
    +关注 私聊

  • Insm_5225054a

    第18楼2018/07/29

    对的，确实如此，我可能没表达清楚，还有点疑问，闪烁体的如果加速电压不足10KV都应该先加一个10KV的高压吧？

    fengyonghe(fengyonghe) 发表: 任何能量的背散射电子都不需要用高压吸引，得到的仅仅是背散射图像，你没法添加二次电子像，人家的设计就可以做到，还可以控制二次电子的量。所以你的想法仅仅是一个背散射探测器而已。还不如传统的背散射探测器可以做到A+B/A-B 。

0
    +关注 私聊

  • fengyonghe

    第19楼2018/07/30

    不需要人为加， 出了故障就得修理了

    Insm_5225054a(Insm_5225054a) 发表:对的，确实如此，我可能没表达清楚，还有点疑问，闪烁体的如果加速电压不足10KV都应该先加一个10KV的高压吧？

0
    +关注 私聊

  • chanmao2004

    第20楼2019/04/09

    转化的道理很简单，背散射电子能量高，打到样品后还会产生二次电子。这种设计有多方面的考量，一个背散射电子可能产生多个二次电子，ExB对二次电子效果更好，转化后接受效率高，上探头是闪烁体探测器，闪烁体探测器比固态探测器很多性能都好，比如量子效率、带宽、刷新频率之类的。
    Super ExB是ExB的进化吧，设置top探头，结合能量过滤和转换电极，接受低能量损失背散射电子得到表面的高成分衬度信息

0