应助工程师
原则上P应该不会高的，现在IC用的单晶硅片，纯度甚至可以达到11n。。。。。另外你可以搜索下“背吸杂”，看有没有参考意义。另外一个P在硅里面的分凝系数印象里是0.67还是多少来着，应该不太容易扩散进去吧？
DK666(Insm_fda1fab5) 发表: 感谢光哥的回复，感觉光哥提到的方向的确有逻辑，我也有想过，在片子没到客户手里，表面P含量高的话，会不会扩散到片子内部，影响到片子的电阻率。再者就是下游客户使用基板进行“盖楼”，“地基”如果有问题，盖的楼也会出问题，例如PN结失效，或者其他的问题，没有搜到相关的案例
