shxie大侠见笑了，其实我也是看了点资料，说110面出现可能是超点阵，其实自己对超点阵还不是很清楚，至于还有很多情况，那我就更不知道了，看来有必要发帖请教了！！！

看了您发的帖 ：【请教】什么样的结构叫超晶格呢？
http://www.instrument.com.cn/bbs/shtml/20051106/269177/index.shtml
您文中提到 超晶格是不同的物质，而超结构是相同物质内部的原子发生了相对于原来晶格的长周期排列
至于 gamexxp 大侠说的，我不是很明白，
按您的说法，我就是一种物质Ni， 那么如果是110晶面的话，就只能超结构了，但是我对超结构还不是很明白，我的衍射花样可能是超结构么？

进来学习一下

我冒昧地半路钻出来就这个问题做一下总结:

前提: 假定楼主的样品的确是fcc立方相Ni.

1. 由于电子衍射图(或FFT)具有六次对称性, 毫无疑问, 晶带轴必定是<111>

2. 因而,最近的六个对称衍射点属于{220}晶面 (间距0.124nm), 或者由于某种原因,属于本应该消光的{110}晶面族(间距0.249nm).

3. 然而,从HREM像(或对应的FFT)上测量的面间距为0.203nm. 其差别不在通常情况可以容忍的误差范围内.

4. 据个人经验,由于样品高度或聚离焦引起的误差也不会导致如此大的偏离.

结论: TEM的放大倍数需要重新校正。

方法: 很简单。原高分辨像还可以用，不用遗憾。只需找一个标准样品，比如说单晶硅110晶带，在和原高分辨像同样的放大倍数下照张像，就可以校正放大倍数。用校正系数重新校正原来测量的d 值就可以了。

欢迎指正。

对于CCD相机拍摄的衍射花样，对应的都有标尺，d值测量就是量取衍射点到透射斑的距离后取倒数即可。角度测量可以通过量取衍射点到中心斑连线对应control对话框的R值（角度），二者相减即得。

所以我测量了最近的衍射斑点到透射斑之间的距离取倒数了[/quote]
请问：是哪两者相减？“最近的衍射斑点到透射斑之间的距离”是如何量的？能否说具体些？我刚接触Gatan DigitalMicrograph,好多操作不懂，在此向各位请教了！

请问：是哪两者相减？
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如图要测量两条黑线之间的夹角，角1-角2即可



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“最近的衍射斑点到透射斑之间的距离”是如何量的？能否说具体些？
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测量面间距可以测多个斑点之间的距离，然后取平均值，这样误差比较小。

楼上的说得不错啊

dddddddddddddddddd

谢谢，学到了不少东西。