入射电子以背散射电子，二次电子，以及其他射线的形式释放出来了，并不在样品里面。
这句话我有点疑问，
其一，所谓的二次电子与背散射电子的一个很主要的区别就是来源不同，二次电子之所以被称之为二次电子，这二次的意思就是来源不同，它是指来源于样品或是其他地方的电子，按来源不同可以分为第一二类二次电子（源于样品）和第三类二次电子（源于样品室内壁或其他），由此是不是可以断定入射电子并非可以以二次电子的形式释放出来呢。
其二，入射电子如何以其他射线的形式释放出来呢？难道这里面还有些类似于核反应的质能互相转化？
就二次电子本身的产率来讲，一个二次电子完全可以激发多个二次电子，而对于电镜来讲，只有能够从样品表面出来的二次电子才能被探头采集到，这样就形成了不同的理解。
入射电子如果只打到一个或者是一层原子上，那么可能TAO的模型更合乎一些，但实际的样品是多层原子，那么应该考虑到平均自由程的问题，也就是说，其实入射电子的最终能量是以二次电子，背散射电子，射线，热能等方式散射掉了，而这部分电流则以二次电子（近乎于0），背散射电子的电流以及样品电流导出，如果样品导电性不好，则会形成电荷积累的现象。当然还会有些俄歇电子什么的，量就比二次电子更少了。
入射电子所能激发出来的信号在量上要远比探头所能采集到的信号多，而这些信号有相当一部分被淹没在样品的内部，最终转化成热能和样品电流，但对于薄样品则有较大的差异，如在TEM中，入射电子经过样品以后更多的只是波函数相位的变化，能量上的损失则与SEM中有很大差异。
以上个人观点，欢迎批评。

You must make clear of what are the two major types of eletrons that give the signal for image. Backscattered electrons and Secondary electrons. Backscattered electrons are essentially primary beam electrons that go through elastic collisions with sample's electrons and come out with high energy. While secondary electrons are from sample's electrons due to inelastic scattering of the primary electrons, their enery is low and defined by less than 50eV.

Then you need to know the penetration "tear drop", at what depth and fraction of the volume different kind of signal comes out. SE, BSE and X-Ray. SE1 and SE2 normally from 5~10nm, BSE could be deep to 50nm. While X-Ray could be from almost the whole penetration tear drop except a thin rim (microns of depth). So I should say only a very small fraction of electrons knocked out their orbits generating X-ray becomes SE1 and SE2.