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ALD 反应依赖于多种前驱体化学物质得到最终产物的一种气相沉积技术。由于 ALD 反应的自限制特性,前驱体通常是过量的,从而保证表面的饱和化学吸附,实现均匀包覆。在半导体工艺中,ALD 技术已经得到广泛应用。近年来,随着粉末 ALD 包覆研究:PALD(Particle ALD)的兴起,前驱体的开发被赋予了更高的使命与要求。开发新型 ALD 前驱体,将是“纳米盗火者”们不竭的使命。
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