膜去溶剂化进样ICP—MS法直接测定电子级高纯过氧化氢中痕量金属杂质

  1. 类别:分析方法/应用文章
  2. 上传人:莱伯泰科
  3. 上传时间:2009/7/9 16:59:47
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简介:

摘要:用ARIDUS膜去溶剂化进样器,在ICP—MS的标准状态(STD)和冷焰状态(PS)测定电子级高纯过氧化氢中的34个痕量金属杂质,用铟作内标可补偿基效应,方法检出限为0.1~70ng/L,加标回收率为9O ~l1O ,长时间相对标准偏差(RSD)小于5 ,ICP—MS测定结果与ICP光谱测定结果基本一致,ICP—MS提高了分析的准确性和工作效率。关键词:电子级高纯过氧化氢;ICP—MS;痕量金属杂质;膜去溶剂化进样

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