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锤子
背景 半导体工业中,我们通过光刻技术制造和控制晶圆。其中蚀刻是该过程的主要环节,当在晶圆表面蚀刻时,可使用等离子体监测跟踪蚀刻穿过晶圆层,并确定等离子体何时完全蚀刻特定层并到达下一层。通过监测在蚀刻期间由等离子体产生的发射线,可精确追踪蚀刻过程。 实验原理 等离子体监测可为样品提供详细元素分析,并确定在控制基于等离子体的过程中所需的关键等离子体参数。等离子体发射特征谱线可用于识别存在的元素,强度可用于实时量化粒子和电子密度。图1为空气300-550nm光谱曲线图,在该波段内,N的特征谱线有1、2、3、5、7、13;O的特征谱线有4、11;Xe的特征谱线有6、8、9、10。
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