T/CASAS 005-2022 用于硬开关电路的GaN HEMT动态导通电阻测试方法

  1. 类别:标准
  2. 上传人:Ins_62a62120
  3. 上传时间:2022/10/24 9:25:51
  4. 文件大小:521K
  5. 下载次数:0
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简介:

本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件: a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件; b) GaN集成功率电路; c) 以上的晶圆级及封装级产品。

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