您还有0次抽奖机会
锤子
消耗积分 : 100积分 移动终端:免积分
本文件规定了用于硬开关切换电路的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法。 本文件适用于进行GaN HEMT的生产研发、特性表征、量产测试、可靠性评估及应用评估等工作场景。可应用于以下器件: a) GaN增强型和耗尽型分立电力电子器件; b) GaN集成功率电路; c) 以上的晶圆级及封装级产品。
打开失败或需在电脑查看,请在电脑上的资料中心栏目,点击"我的下载"。建议使用手机自带浏览器。