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锤子
T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法.pdf
- 类别：标准
- 上传人：Ins_62a62120
- 上传时间：2022/10/24 9:40:08
- 文件大小：688K
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简介：
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表征热量在导热路径传输能力的重要参数，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热设计与优化改进提供参考。因而，准确的热阻测试对于SiC MOSFET的鉴定、评价及其应用具有重要意义。
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