具有无源元件的半导体器件及其制备方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/18 9:01:24
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简介:

半导体器件及制备半导体器件的方法。在绝缘介电层(12)中形成镶嵌金属层(16),绝缘介电层直接与基底(10)电连接。诸如第一电容电极层(20)的无源元件层沉积在金属层(16)上,相对于金属层(16),第一电容电极层最好偏置,使其通过通孔(36)与金属层(16)直接进行电互连。在一个实施例中,电容和电阻作为器件上的无源元件。在另一个实施例中,无源元件至少包括一个电阻(28)和可选的第二电阻(32)。然而,在另一个实施例中,金属层(16)是镶嵌铜层。

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