在半导体晶片上形成铜层的方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/18 9:20:45
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简介:

一种在晶片(20)上电镀铜层(118)的方法以得到改进的铜互连的方式向电镀系统(10)的阴极提供功率。控制系统(34)用两个或多个以下周期的混合周期向系统(10)的阴极提供功率:(Ⅰ)正低功率DC周期(201或254);(Ⅱ)正高功率DC周期(256或310);(Ⅲ)低功率、脉冲正功率周期(306或530);(Ⅳ)高功率、脉冲正功率周期(212、252、302或352);和/或(Ⅴ)负脉冲周期(214、304、510、528或532)。这些周期的集合用来将铜或类似的金属电镀在晶片(20)上。在电镀期间,执行现场处理控制和/或终点探测(506、512或520),以进一步改进产生的铜互连。

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